Технологический разброс
Cтраница 1
Технологический разброс, обусловленный неточностью изготовления Дтех, составляет 90 мнм. [1]
Технологический разброс и температурное изменение параметров полупроводниковых приборов ( как и всех других элементов) неизбежны. При этом необходимо обеспечить заданную стабильность и малый разброс характеристик законченных устройств в заданном диапазоне температур. [2]
Технологический разброс сопротивлений для разных микросхем б RIR 10 %, в то время как резисторы с одинаковой геометрией на одном кристалле практически идентичны. [3]
 |
Построение входной. [4] |
Технологический разброс входных характеристик определяют на основе сбора статистических данных. [5]
Технологический разброс параметров транзистора и их зависимость от температуры, времени, режима, частоты определяют специфические требования к расчету и принципам построения схем на транзисторах. [6]
 |
Пределы технологического разброса входных факторов. [7] |
Технологический разброс входных факторов обусловливает и разброс выходных показателей. Их связь может быть установлена с использованием теории линейных векторных пространств. [8]
Технологический разброс выходных показателей машин малой мощности, особенно промышленного и бытового назначения, достигает больших величин. Он зависит от точностных характеристик технологического процесса и стабильности свойств материалов. [9]
Вследствие технологического разброса параметры полупроводниковых триодов одного типа имеют значительные отклонения от средних значений. Поэтому при замене триодов в схеме характеристики каскада могут заметно измениться. [10]
 |
Годографы Найквиста для разных усилителей. [11] |
Вследствие технологического разброса параметров элементов усилителя годограф возвратной разности всегда отличается от построенного для номинальных ( средних) значений параметров. [12]
Нестабильность и технологический разброс параметров полупроводниковых элементов больше всего сказываются в двухканаль-ных приборах для преобразования входных напряжений или токов. [13]
Если учесть технологический разброс геометрических размеров нахлеста, то из характеристик на рис. 4 - 5 можно графически определить область возможных значений магнитного сопротивления нахлеста. [14]
Нестабильность и технологический разброс параметров полупроводниковых элементов более всего проявляется в двухканальных приборах для преобразования входных напряжений или токов. При изменении коэффициента преобразования Кпп предвключенного преобразователя ПП в показаниях прибора одновременного сравнения ( рис. 2.7, а) возникает погрешность. [15]
Страницы: 1 2 3 4