Технологический разброс

Cтраница 3

Источником погрешности может быть технологический разброс параметров элементов, их температурный и временной дрейфы, а также шумы и наводки. [31]

Кроме того, существует технологический разброс емкостей аккумуляторов, возрастающий в процессе их старения. В результате при эксплуатации батареи необходимость ее зарядки определяется моментом полной разрядки того из аккумуляторов, который обладает наименьшей емкостью. [32]

Влияние температурного смещения и технологического разброса характеристик на режим работы усилителя, несмотря на различие вызывающих их физических явлений, во многом идентично. Основной метод температурной стабилизации - включение отрицательных обратных связей - уменьшает и нежелательные последствия технологического разброса. Это обстоятельство позволяет ограничиться изучением схем температурной стабилизации, не рассматривая отдельно способы уменьшения влияния на усилитель технологического разброса и временного дрейфа характеристик транзистора. [33]

Зависимость пределов подстройки от положения магнитного сердечника и размеров катушки.| Зависимость пределов подстройки от положения немагнитного сердечника и размеров катушки. [34]

Подстройка применяется для компенсации технологического разброса индуктивности. Величина разброса определяет необходимые пределы подстройки. [35]

Случайные погрешности, вызванные технологическим разбросом свойств применяемых материалов, нарушениями технологии изготовления и другими причинами. [36]

При расчете схем необходимо учитывать технологический разброс и температурное изменение параметров приборов; зависимость параметров от электрического режима и дрейф параметров в результате старения приборов. Схема должна оставаться работоспособной при всех возможных изменениях параметров ПП. [37]

Примеры схем интегральных усилителей. [38]

Во-первых, параметры транзисторов имеют большой технологический разброс; во-вторых, при большом разбросе абсолютных значений сопротивлений отношение этих сопротивлений выдерживается, как упоминалось выше, довольно точно. Поэтому интегральные схемы строятся так, чтобы их вторичные ( внешние) параметры слабо зависели от параметров элементов ( транзисторов и резисторов), а определялись бы в основном отношением резисторов. [39]

Технологический разброс вольт-амперных характеристик модуля ТБМ-1.| Технологический разброс тепловых характеристик модуля ТБМ-1.| Внешний вид модуля типа ТБМ-1. [ IMAGE ] Внешний вид модуля КР-1. [40]

Используют также характеристики, описывающие технологический разброс параметров модулей ( рис. XI.17, XI. [41]

Теперь рассмотрим вопрос о влиянии технологического разброса параметров в структуре с последовательной коррекцией. [42]

Из-за сильной температурной зависимости и технологического разброса характеристик управления тиристоров включение их, как правило, производится достаточно крутыми импульсами тока управления. [43]

При проектировании аппаратуры необходимо учитывать как технологический разброс параметров, так и их возможный дрейф в процессе эксплуатации. Характер дрейфа для основных параметров ПУЛ следующий: токи накала и первой сетки, входное, внутреннее и шумовое сопротивления - возрастают, а ток анода и второй сетки, выходная мощность и крутизна уменьшаются. Величины статического коэффициента усиления и межэлектродных емкостей со временем почти не изменяются. [44]

Основные петли гистерезиса. дель-тамакс, лента толщиной 0 002 дюйма.| Основные петли гистерезиса. супер-маллой, лента толщиной 0 002 дюйма.| Питание катушкя синусоидальным током.| Основные петли гистерезиса, синусоидальный ток. дельтамакс, лента толщиной-0 002 дюйма.| Основные петли гистерезиса, синусоидальный ток. супермаллой, лента толщиной 0 002 дюйма. [45]

Страницы: 1 2 3 4