Технологический разброс

Cтраница 2

Нестабильность и технологический разброс параметров полупроводниковых элементов больше всего сказываются в двухканаль-ных приборах для преобразования входных напряжений или токов. [16]

Для компенсации технологического разброса емкости переменного конденсатора и индуктивности катушки контура в области частот, близких к / р mint служит сердечник катушки из ферромагнитного материала. [17]

Сведения о технологическом разбросе приведены ниже. [18]

Кривая распределения Ф ( х0 размера Х0 партии деталей и зоны различных условий разбраковки. [19]

Предположим, что технологический разброс будет Я 600 09 мм. [20]

Недостатком транзисторов является технологический разброс их параметров и зависимость их от температуры окружающей среды. Поэтому определение усредненных характеристик транзистора затруднено; для расчета каскадов либо снимают характеристики для данного транзистора, либо используют наиболее типичные характеристики для выбранного транзистора из справочника. [21]

Недостатком транзисторов является технологический разброс параметров и зависимость от температуры окружающей среды. [22]

Схема для снятия статических характеристик триодов. [23]

Недостатком триодов является технологический разброс параметров и зависимость от окружающей температуры. [24]

Не рекомендуется уменьшать технологический разброс параметров специальным отбором приборов. Это приводит к тому, что часть годных по ТУ ПП не используется, повышается трудоемкость изготовления и себестоимость аппаратуры, практически исключается возможность ее ремонта и поэтому отбор является самым грубым нарушением принципов грамотного конструирования. [25]

Таким образом, технологический разброс разрушаемой области перемычки ЗЭ приводит к разбросу температурного приращения, что в свою очередь является причиной неодинаковых механизмов разрушения перемычек. Различие механизмов разрушения приводит к изменению состояния ЗЭ при считывании информации, т.е. некоторая часть запрограммированных I. ПЛМ способна отказать в процессе их эксплуатации. [26]

Рассмотренные примеры исследования технологического разброса параметров бесконтактных сельсинов позволяют установить единый статистико-вероятностный подход к анализу и выбору технологических допусков, который использует действующие детерминированные расчетные алгоритмы, не требуя их существенных преобразований. [27]

В связи с технологическим разбросом характеристик реальных: полупроводниковых приборов ( например, для многих дискретных4 транзисторов допускается разброс коэффициента усиления от 2W до 80) нет гарантии, что параметры модели, полученные в результате измерений и аппроксимации характеристик одного прибора. Для-параметров моделей полупроводниковых приборов наиболее достоверными являются их среднестатистические значения, рассчи тайные по достаточно представительной выборке приборов. [28]

Значение параметра, имеющего технологический разброс, фактически является статистической характеристикой. [29]

С увеличением JV допускается больший технологический разброс и температурные изменения параметров транзисторов, повышается помехозащищенность и невосприимчивость схемы к колебаниям напряжения питания, однако ухудшается чувствительность, увеличивается мощность управления и несколько ухудшается быстродействие. Физически это связано с изменением состояния коллекторного перехода и снижением высоты его потенциального барьера, так как избыточный заряд подвижных носителей заполняет не только центральную, но и периферийные области базовой пластинки. В этом же режиме напряжение на переходе база-эмиттер может достигать 1 - 1 5 В, т.е. UQ э нас UK с, за счет падения напряжения в базовой области вблизи внешнего вывода. [30]

Страницы: 1 2 3 4