Разделение - пластина
Cтраница 1
Разделение пластин на кристаллы осуществляется тремя способами: 1) механическим скрайбированием ( алмазным резцом); 2) фрезерованием ( дисковой резкой); 3) с помощью лазерного луча. Принципы разделения пластин на модули с помощью лазерного луча основаны на локальном взаимодействии луча лазера с материалом полупроводниковой пластины, расплавлении и испарении его на линии раздела. К преимуществам такого процесса следует отнести: универсальность ( если для механического разделения необходимо освобождение от слоев оксида кремния, металлизации и т.п., для лазерного разделения это не обязательно), достаточную производительность, малую ширину реза, отсутствие механических повреждений. Недостатком процесса является большая вероятность попадания продуктов испарения на поверхность пластины, которая тем больше, чем больше глубина реза. [1]
 |
Схема процесса скрайбирования. [2] |
Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины. [3]
 |
Монтаж с помощью балочных выводов из AI на кристалле.| Балочные выводы на подложке. [4] |
Разделение пластины на отдельные кристаллы производится методом глубинного травления через маску, образуемую фоторезистом или лазерным скрайбированием. На рис. 149 показан упрощенный вариант балочного вывода с использованием хрома в качестве подслоя под балочным выводом из золота. Хром обеспечивает хорошее сцепление и с алюминием, который также можно использоваться балочных выводов ИС. Слой алюминия в этом случае напыляется в вакууме до толщины порядка 5 - 6 мкм. [5]
Разделение пластин на кристаллы, а также соединение выводов с контактными площадками и защита кристалла в гибридной схеме должны производиться в соответствии с типовым технологическим процессом, согласованным в установленном порядке. [6]
Разделение пластин на кристаллы производить по разделительным дорожкам так, чтобы линия реза была ровной, без сколов и трещин и была посередине между двумя рядами структур. [7]
 |
Схема процесса скрайбирования. [8] |
Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины. [9]
 |
Схема конструкции маркировочной гсловки. [10] |
После разделения пластины на отдельные кристаллы бракованные микросхемы с цветной меткой отсортировываются и на сборку не поступают. [11]
Для разделения пластин коллектор обрезают по наружному диаметру. [12]
 |
Схема устройства установки монтажа кристаллов с шариковыми выводами. [13] |
После разделения пластины на кристаллы получают ИС с шариковыми выводами. [14]
 |
Схема конструкции маркировочной гсловки. [15] |
Страницы: 1 2 3 4