Разделение - пластина
Cтраница 3
 |
Сборка гибридной интегральной микросхемы методом перевернутого кристалла.| Монтаж чипа. [31] |
Метод раздельного ориентирования предполагает наличие отдельных, хаотически расположенных кристаллов, полученных после разделения пластин. [32]
В то же время это направление требует решения больших технических проблем, связанных с трудностями разделения пластин кремния увеличенной толщины на отдельные кристаллы, сохранением высокой однородности состава и плоскостности поверхности пластин большого диаметра, а также с необходимостью создания нового технологического оборудования ( диффузионных печей, установок ионной имплантации и травления и др.) для Si-пластин увеличенного диаметра. [33]
Сепараторы Мипор ( ТУ МХП 1056 - 54) представляют собой ребристые или гладкие листы микропористого эбонита, применяемые для разделения пластин в аккумуляторных батареях. [34]
Сепараторы Мипор ( МРТУ 6 - 07 - 1056 - 63) представляют собой ребристые или гладкие листы микропористого эбонита, применяемые для разделения пластин в аккумуляторных батареях. [35]
 |
Внешний вид кристаллов арсенид-галлиевых микросхем СВЧ. [36] |
Формирование земляной шины несимметричных микрополосковых линий производится нанесением на обратную сторону утоненной пластины GaAs слоев металлов Cr ( NiCr) толщиной 0 05 - 0 07 мкм, Ni толщиной около 0 2 мкм и слоя золота толщиной около 0 2 мкм, который при необходимости утолщается гальваническим осаждением. Разделение пластин на кристаллы производится в основном с помощью сквозной резки алмазными дисками толщиной 25 - 30 мкм. При этом пластина вначале наклеивается на специальную пленку-держатель, после резки пластины производится снятие и отмывка только годных кристаллов. [37]
Разделение пластин на кристаллы осуществляется тремя способами: 1) механическим скрайбированием ( алмазным резцом); 2) фрезерованием ( дисковой резкой); 3) с помощью лазерного луча. Принципы разделения пластин на модули с помощью лазерного луча основаны на локальном взаимодействии луча лазера с материалом полупроводниковой пластины, расплавлении и испарении его на линии раздела. К преимуществам такого процесса следует отнести: универсальность ( если для механического разделения необходимо освобождение от слоев оксида кремния, металлизации и т.п., для лазерного разделения это не обязательно), достаточную производительность, малую ширину реза, отсутствие механических повреждений. Недостатком процесса является большая вероятность попадания продуктов испарения на поверхность пластины, которая тем больше, чем больше глубина реза. [38]
 |
Станок для скрайбирования. [39] |
Основным методом разделения полупроводниковых и стеклянных пластин на отдельные микросхемы является скрайбирование с последующим раскалыванием. Перед разделением пластины каждая схема проверяется на функционирование при помощи измерительной зондовой головки, которая контактируется с вводными площадками. Неисправные схемы помечают краской и после разделения пластины отбраковывают. [40]
После того как компоненты или схемы на пластине испытаны, промаркированы и отсортированы, пластины должны быть физически разделены на отдельные кристаллы. Разработан ряд методов разделения пластин на кристаллы: скрай-бирование с помощью алмазного резца, скрайбирование с помощью лазерного луча и распиливание с помощью алмазного диска. [41]
В основном резание проволокой применяют при разделении пластин на кристаллы. Разрезание пластины диаметром 30 - 40 мм и толщиной 0 2 - 0 3 мм проволокой диаметром 0 1 мм производится за 10 - 15 мин. [42]
 |
Зависимость производительности лазерной установки для скрайбирования от расстояния между канавками в полупроводниковых пластинках при диаметре пластинок 35 мм ( /, 50 мм ( 2 и 75 мм ( 3. [43] |
Следует отметить, что при обработке материалов с низкой теплопроводностью не обязательно применять импульсные лазеры. Метод лазерного скрайбирования может быть применен в микроэлектронике для разделения пластин из керамики, ситалла [198], а также стеклопрофилита. [44]
Таким образом, лазерное скрайбирование является экономически выгодным прежде всего благодаря уменьшению потерь материала. Кроме того, при лазерном скрайбировании сокращается трудоемкость операции разделения пластин кремния в 10 - 15 раз. [45]
Страницы: 1 2 3 4