Разделение - пластина
Cтраница 2
После разделения пластины на отдельные кристаллы бракованные микросхемы с цветной меткой отсортировываются и на сборку не поступают. [16]
При разделении пластин также широко применяется метод жидкого распиливания, т.е. резка подложек по линиям скрайбирования с помощью высокоскоростной циркулярной алмазной пилы. При этом можно либо частично надрезать ( разметить), либо полностью разделить ( разрезать) кремниевую подложку на кристаллы. При распиливании образуется жидкая суспензия материала, удаляемого с линий скрайбирования. [17]
Применяют для разделения пластин в аккумуляторных батареях. [18]
Интерес представляет также возможность разделения скрайбированных пластин на кристаллы за счет температурных деформаций. [19]
Работа, совершаемая рукой при разделении пластин, всегда превышает работу сил электрического притяжения, совершаемую при сближении пластин, так что процесс зарядки конденсатора связан с затратой работы. За счет части этой работы создается энергия заряженного конденсатора, часть работы идет на шум и тепло при возникновении искр, а остальная часть - на преодоление других сил, препятствующих движению. [20]
Основными операциями микромонтажа являются: 1) разделение пластин на модули; 2) контроль по внешнему виду и разбраковка; 3) посадка кристаллов ИМС в корпус или на коммутационную плату; 4) электрическое соединение выводов КП кристалла с КП корпуса или платы. Дополнительной операцией, которая производится при микромонтаже кристаллов ИМС, является их защита органическими компаундами. [21]
 |
Простейшая схема шлифовки пластин. [22] |
В настоящее время все чаще используется способ разделения пластин на кристаллы проволокой, который отличается мягкостью воздействия инструмента - проволоки на обрабатываемый материал, что способствует поглощению вибраций оборудования. Кроме того, значительная длина контакта проволоки с обрабатываемым материалом обеспечивает малую удельную силу резания, в результате чего разделение проволокой отличается высоким качеством реза: величина сколов и другие нарушения минимальны, ширина реза 60 - 70 мкм. Разделение производится вольфрамовомолибденовой проволокой с помощью водноабразивной суспензии. [23]
Рассмотрим модель материала, которая получена - разделением пластины из армированного пластика на несколько кубиков, сторона которых равна толщине пластины. [24]
Если к пластине приложены внешние сосредоточенные силы, то разделение пластины на элементы надо произвести так, чтобы эти силы оказались приложенными к узлам сетки конечных элементов. Распределенную внешнюю нагрузку на границе пластины следует заменить статически эквивалентными сосредоточенными силами, приложенными к граничным узлам. [25]
Практически все автоматизированные системы сборки и монтажа имеют оборудование для разделения пластин с ориентацией кристалла. В системе ТАС-1000, предложенной фирмой Теледин ( США) [220], после контроля, результаты которого записываются на фотопластину, полупроводниковая пластина приклеивается на адгезивную пленку и разламывается. Затем на общей рамке разломанная пластина и фотопластина попадают на сортировщик, где кристаллы снимаются с пленки и в ориентированном положении приклеиваются в корпуса согласно данным, записанным на фотопластине. [26]
Скрайбирование - метод, получивший наибольшее распространение в промышленности для разделения пластин на кристаллы. [27]
Сборочные операции относятся к типу заключительных и включают в себя: разделение пластин на кристаллы, монтаж кристалла на кристаллодержателе методом пайки или ультразвуковой сварки, присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и траверсам корпуса методом термокомпрессии или сварки, защиту кристалла компаундом или лаком, герметизацию корпуса. [28]
Площадь пластины, занятую порами, определяют по рентгенограмме или после разделения спаянных пластин механическими средствами. Погрешность измерения должна быть не более 0 5 мм. [29]
В настоящее время в полупроводниковом производстве лазерный луч применяют главным образом для разделения пластин на кристаллы ( лазерное скрайбирование), для создания контактов и контактной сварки, при вырезании заготовок различной формы из тонкого материала. Большинство технологических операций, выполняемых с помощью лазерного луча, основано на тепловом воздействии света на непрозрачные среды. Этот процесс описывается тепловой моделью и может быть разделен на несколько стадий: поглощение света и передача энергии тепловым колебаниям решетки твердого тела; нагревание материала без разрушения, включая плавление; разрушение материала путем испарения и выброса расплава; остывание после окончания действия лазерного луча. Экспериментально установлено, что стадия разрушения вначале происходит за счет испарения материала, в дальнейшем, при образовании глубокой лунки, часть вещества удаляется в виде расплава. Температура материала в зоне действия луча может превышать 10000 К, что превосходит точку кипения всех известных материалов. [30]
Страницы: 1 2 3 4