Зенер

Cтраница 2

Чтобы наблюдать излом на пробойной части характеристики диода Зенера во время облучения, необходимо получить несколько вольт-амперных характеристик в течение одного импульса. [16]

Эти недостатки, а также разработка кремниевых стабилитронов ( диодов Зенера) обусловили тот факт, что стабилизаторы с газоразрядными лампами не нашли широкого применения в серийно выпускаемых приборах. [17]

Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III -диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения б В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VD1, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [18]

Если представить поверхностный слой как колеблющуюся пластину то, согласно формуле Зенера, можно установить примерную релаксационную частоту, а следовательно, и относительную скорость, при которой наступает процесс релаксации. [19]

Микросхемы серии К511 представляют собой систему элементов транзисторно-транзисторной логики и диодов Зенера. Входная часть элемента /, выполненная на транзисторах VT1 - VT4 р-п-р-типа, реализует логическую функцию И. С помощью транзисторов осуществляют также дополнительное усиление входных сигналов. Часть микросхемы III - диод VD2 ( диод Зенера), имеющий порог напряжения 6 В, - обеспечивает статическую помехоустойчивость. Диод VDI, ускоряющий рассасывание неосновных носителей из области базы транзистора VT5, обеспечивает динамическую помехоустойчивость. [20]

Энергетические зоны полупроводника в сильном электрическом поле. [21]

Одним из механизмов увеличения носителей заряда в сильных электрических полях является эффект Зенера. Вертикальный переход / связан с затратой энергии и обусловлен механизмом ударной ионизации. [22]

Электростатическая ионизация. [23]

В очень сильных электрических полях может происходить электростатическая ионизация, называемая иначе эффектом Зенера. В таких полях становится вероятным туннельное просачивание носителей заряда через запрещенную зону. Переход электронов оказывается возможным вследствие того, что сильное внешнее поле вызывает наклон энергетических зон, тем больший, чем больше напряженность приложенного поля. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости возможен, как показано на рис. 5.3, по АБ и АВ. [24]

Среди полупроводниковых элементов широко используются точечные и плоскостные диоды, опорные диоды ( диоды Зенера), транзисторы и германиевые и кремниевые тетроды. [25]

Техническая характеристика счетчиков типа Турбоквант. [26]

Для применения счетчика во взрывоопасных установках в цепи от датчика к вторичному прибору устанавливают нскробезопасный барьер Зенера типа Изолекс Е1 - 21 или Е1 - 21 / А. [27]

Как показано в предыдущей главе, потери в металлах имеют в основном тепловой характер, причем теория Зенера объясняет большинство наблюдаемых результатов. Внутреннее трение в пластиках и диэлектриках, вообще говоря, значительно выше, так что значение модуля упругости изменяется с частотой очень быстро. Эти явления будут обсуждены позже, в главе, где описаны другие методы измерения динамических упругих свойств, но здесь было бы полезным иметь оценку относительных значений величины внутреннего трения в различных материалах. Самое низкое значение внутреннего трения отмечено в пьезоэлектрических кварцевых резонаторах. [28]

В очень тонких переходах при сопротивлении исходного полупроводника менее 0 5 ом-см возможен туннельный пробой, или пробой Зенера. Здесь действует механизм электростатической ионизации, заключающийся в следующем. При приложении к переходу обратного напряжения энергетические зоны областей смещаются друг по отношению к другу, по сравнению с их положением при термодинамическом равновесии. [29]

Принципиальная схема базового элемента микросхемы серии. [30]

Страницы: 1 2 3 4