Зенер

Cтраница 4

Формула (3.51) совпадает с формулой (2.41) для водородоподоб-ного атома при условии определения ( Z - 5экр) как эффективного заряда ядра и п как эффективного главного квантового числа. Константы экранирования 5ЭКр для элементов второго периода до атома фтора были вычислены Зенером. Слэтер аппроксимировал 5ЭКр и п для всех элементов таблицы Менделеева так, чтобы эти значения хорошо согласовывались с расчетами Зенера и экспериментальными данными по рентгеновской спектроскопии атома. [46]

При осмотрах необходимо также обращать внимание на целостность проводов для уравнивания потенциалов и надежность их заземления. Это важно для оборудования, у которого искробезо пасность обеспечивается с помощью блоков защиты на стабилитронах ( барьерах Зенера, см. гл. [47]

Если принять меры для предотвращения перегрева p - n - перехода обратным током ( усилить теплоотвод от перехода, ограничить величину обратного тока внешним сопротивлением), то становится возможной работа диода при обратном пробивном напряжении, так как процесс вырывания электронов из валентной зоны является обратимым и не приводит к разрушению кристалла. В таком режиме самое незначительное увеличение обратного напряжения приводит к резкому возрастанию числа свободных электронов и дырок за счет эффекта Зенера и эффекта лавинного умножения. [48]

Условное обозначение стабилитрона.| Характеристика стабилитрона.| Условное обозначение варикапа. [49]

Стабилитроны с Uz x 8 В имеют наименьшее дифференциальное внутреннее сопротивление; с уменьшением Uz это сопротивление возрастает. Таким образом, стабилизирующий эффект при малых Uz проявляется в меньшей степени, Для напряжений Uz ниже 5 7 В преобладает пробой Зенера с отрицательным температурным коэффициентом напряжения, выше-лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. Температурный коэффициент напряжения стабилизации составляет примерно 0 1 % на каждый градус. [50]

Данная система является пропорциональным регулятором, поэтому его точность зависит от степени усиления всего регулирующего устройства. Точность регулирования зависит также от постоянного эталонного напряжения U3, источником которого чаще всего в настоящее время бывает полупроводниковый стабилитрон ( диод Зенера) или реже - газоразрядный стабилитрон. Все устройства системы являются электронными схемами, при этом в области высоких напряжений применяются электронные лампы, а в области низких напряжений - полупроводниковые элементы. [51]

Сигнал с потенциометров через фазочувствительный усилитель мощности подается на интегрирующий двигатель, на валу которого имеется счетчик оборотов. Источник питания имеет два ферроре-зо нансных стабилизатора напряжения с двухполупери-одным выпрямителем и фильтрами и два полупроводниковых источника стабилизированного питания на опорном диоде Зенера, служащих для питания потенциометров умножения. При помощи пульта управления обеспечиваются пуск, реверс и остановка прибора. [52]

В указанных международных рекомендациях к барьерам Зенера есть требования, кроме того, в некоторых странах, например в Англии, есть специальный стандарт по барьерам Зенера. Что касается остальных методов обеспечения искробезопасности, то они в принципе не отличаются от практики, принятой в СССР, но за рубежом значительно шире принято дублирование искрозащитных элементов. Как и у нас, искробезопасными бывают чаще всего входные или выходные цепи, сам же прибор или аппарат либо устанавливается вне взрывоопасного помещения, либо заключается во взрывонепро-ницаемую оболочку. В то же время не все национальные стандарты оговаривают виды защиты от внешних воздействий. Это следует учитывать при возможной установке электрооборудования на открытом воздухе. [53]

Вольт-амперная стика р-л-перехода. [54]

В сильнолегированных полупроводниках ширина запирающего слоя меньше, что препятствует возникновению лавинного пробоя, так как движущиеся носители не приобретают энергии, достаточной для ударной ионизации. В то же время может возникать электрический пробой p - n - перехода, когда при достижении критической напряженности электрического поля в p - n - переходе за счет энергии поля появляются пары носителей электрон - дырка ( эффект Зенера), и существенно возрастает обратный ток перехода. [55]

Так как перераспределение напряжения происходит даже при релаксации, оно несомненно должно наблюдаться во время пол-зучести образца при постоянной нагрузке. Поле сил, в котором находятся определенные участки материала, не может ре-лаксировать так быстро, следовательно, тело накапливает энергию деформации сдвига. Зенер заметил сходство этой картины с ажурной группировкой кристаллических зерен в поликристаллических металлах, в которых селективная пластичность, наблюдаемая внутри индивидуальных зерен до нагружения тела, при его растяжении постепенно передается комплексному блоку зерно-граница зерна, который по стерическим причинам не может релак-сировать. Бики 8 предполагал, что статическая усталость вязко-упругих стеклообразных полимеров обусловлена релаксацией сегментов, которые вызывают перераспределение напряжения в направлении определенных статических первично связанных цепей, которые1 прочнее своих соседей, так как благодаря чисто случайным обстоятельствам ориентированы параллельно растягивающему усилию. [56]

Величина внутреннего трения, вызываемого этими микроскопическими тепловыми потоками, зависит от типа кристаллической структуры, так же как и от размера зерна, и возрастает при возрастании упругой анизотропии отдельных кристаллитов. При очень низких частотах, с другой стороны, тепловой поток происходит во всем материале; отсюда получается соотношение, согласно которому внутреннее трение пропорционально первой степени частоты. Экспериментальные результаты Зенера и Рэндала [164] находятся в согласии с этим выводом. [57]

В этой главе освещается современное состояние знаний о механической релаксации в органических твердых телах. Под механической релаксацией подразумевается главным образом неупругий процесс, в котором напряжение и деформация зависят не только друг от друга, но и от времени. Эти процессы, по определению Зенера [295], проявляются как в переходных, так и в динамических режимах деформации. Наиболее общими примерами переходных процессов являются релаксация напряжения, при которой напряжение, требуемое для поддержания образца при постоянной деформации, оказывается монотонно убывающей функцией времени, и ползучесть, при которой деформация образца при постоянном напряжении ( или постоянной нагрузке) является монотонно возрастающей функцией времени. Примером динамических процессов является деформация образца при приложении напряжения, меняющегося синусоидально со временем. Обнаружено, что такое напряжение вызывает синусоидально меняющуюся деформацию, которая изменяется не в фазе с напряжением. Это в свою очередь приводит как к диссипации энергии ( внутреннее трение), так и к связанной с ней дисперсии модуля упругости. [58]

Диод, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным наклоном в области обратных напряжений. Такая характеристика позволяет диоду пропускать без разрушения большие токи. В рассматриваемой зоне, известной как зона Зенера, несмотря на увеличение тока падение напряжения на диоде остается почти неизменным. [59]

Мотт и Герни [38] и Йост [44] считают, что она обусловлена зависимостью энтальпии образования дефектов Я от температуры Н Н - рг и связана с тепловым расширением кристалла. Хейвен и Ван - Сантен [45], Верт и Зенер [46] показали, что это неверно. Энтальпия и энтропия кристалла связаны. [60]

Страницы: 1 2 3 4