Зенер

Cтраница 3

Характерная особсчшость микросхем этой серии состоит в том, что здесь в качестве смещающего диода VD6 стоит стабилитрон ( диод Зенера) с пороговым напряжением 6 9 В, благодаря которому обеспечивается высокий порог отпирания, около 7 В. По принципу действия эти микросхемы не отличаются от ранее рассмотренных. [31]

Прежние объяснения [18] явлений пробоя, наблюдавшихся в р - n - переходах, основывались на теории, первоначально выдвинутой Зенером для объяснения пробоя в изоляторах. Поэтому рассматриваемое явление объясняли, да и сейчас еще иногда ( ошибочно) объясняют как зенеровский пробой. Для обратных пробивных напряжений выше приблизительно 6 в для кремния и 3 в для германия экспериментальные данные значительно расходятся с тем, что дает теория внутренней автоэлектронной эмиссии. Схематически это показано на фиг. [32]

Структурная схема приемопередатчика высокочастотной защиты. [33]

Защита триодов выходного каскада передатчика от повреждений при перенапряжениях осуществлена при помощи выходного линейного фильтра и ограничителя на двух опорных диодах Зенера. [34]

Инвертирование функции ф достигается при помощи инвертора /, который имеет ту особенность, что в цепи базы используется управляемый диод Зенера DZ; применение этого элемента более целесообразно, чем классического делителя, так как позволяет полностью, без ослабления, передать на базу транзистора изменения уровня, получаемого на выходе полусумматора. Это увеличивает энергию, идущую для зажигания лампочек несоответствия. Небольшое сопротивление поставлено в цепь эмиттера для того, чтобы ограничить ток, проходящий через транзистор, когда последний находится в открытом состоянии. [35]

Результатом облучения при 150 G было увеличение обратного тока, но при 1 1 - Ю16 нейтрон / см2 видимых изменений напряжения Зенера снова не наблюдали. [36]

Не совсем ясно, что понимать под словами мало или совсем не изменялись, но можно ожидать, что более высокая концентрация носителей в арсениде галлия обусловливает более высокую стойкость диодов Зенера. [37]

На это обстоятельство ( имеется в виду рекуррентное соотношение ( В. Зенер и Гюллемин в 1929 г. [106], и его нужно особенно учитывать при проведении расчетов на машинах, поскольку мантиссы чисел любых машин содержат конечное число разрядов. Значение / 3 зависит от наибольшего значения и - nmax встречающегося в расчете ( / 3 тем больше чем больше Н тах), и до некоторой степени от максимальных ошибок в последних значащих цифрах результатов стандартных подпрограмм, Например, Флодмарк [53] пользовался соотношением ( В. [38]

Образование осадков меди, никеля, лития в германии и кремнии было тщательно изучено [ 121, с. Зенер [151] теоретически изучил процесс выделения, проверяемый внутренними диффузиями ближнего порядка участвующих атомов. [39]

Идеализированная характеристика стабилитрона. [40]

В области напряжений ниже 6 в можно считать, что лавинный механизм пробоя уже практически не имеет места и действует только туннельный механизм. Таким образом, диодами Зенера можно называть, строго говоря, только низковольтные стабилитроны. [41]

Зависимость емкости. [42]

Причиной резкого возрастания тока является высокая напряженность поля в запорном слое, которая может вызывать два различных процесса. При туннельном пробое ( пробое Зенера) она приводит к внутренней автоэлектронной эмиссии, а при л а-винном пробое носители зарядов, создающие обратный ток. [43]

Такой механизм перехода электрона сквозь потенциальный барьер является чисто квантовым и объясняется в квантовой механике с помощью туннельного эффекта. Впервые это явление было исследовано немецким ученым Зенером, поэтому этот вид пробоя в литературе часто называют зенеровским пробоем, а диоды, использующие этот вид пробоя для стабилизации напряжения, - стабилитронами или зенеровскими диодами. [44]

Стабилитрон него основные параметры. Стабилитрон - опорный диод или диод Зенера - это полупроводниковый диод, у которого на обратной ветви вольт-амперной характеристики имеется участок, расположенный в области электрического пробоя. В качестве материала для изготовления стабилитронов применяется кремний, так как кремниевые p - n - переходы имеют небольшие обратные токи, а переход в области пробоя резкий, проходящий практически параллельно оси токов. [45]

Страницы: 1 2 3 4