Разрыв - отдельная связь
Cтраница 3
MgO, FeO, MnO), вызывает разрыв отдельных связей Si - О - Si. Дальнейшее увеличение количества окислов металлов ведет к постепенному уменьшению размеров кремнекислородных анионов. [31]
 |
Синхронное взаимодействие молекул А и В по двум реакционным центрам k - / и k. [32] |
Энергетические изменения в процессе химического акта, как правило, определяются разрывом отдельных связей и возникновением новых связей. В методе ВМО взаимодействие молекул А и В рассматривается как их энергетическое возбуждение при столкновении. [33]
Донорные полупроводники называют полупроводниками п-типа. В таком полупроводнике электроны являются основными носителями тока, а дырки ( образовавшиеся при разрыве отдельных связей собственного полупроводника под действием нагревания или облучения) являются неосновными носителями тока. [34]
 |
Зависимость приведенного напря. [35] |
Название метода прерывная и непрерывная релаксация, данное авторами, следует признать неудачным, так как сходство с релаксацией, выражающееся в падении напряжения со временем, является чисто внешним. При истинной релаксации это процесс физический, не связанный с разрушением молекул, а в этом случае имеет место релаксация напряжения именно за счет разрыва отдельных связей в резине. [36]
Для жидкой воды характерна самоионизация. Молекулы ее взаимно влияют друг на друга. Тепловое движение частиц вызывает ослабление и разрыв отдельных связей О - Н в молекулах воды. [37]
Энергия, требующаяся для гемолитического расщепления отдельной связи и образования двух нейтральных атомов, называется энергией диссоциации связи. В органической химии она обычно выражается в килокалориях на моль. Часто невозможно определить энергию, необходимую для разрыва отдельной связи, и вместо этого используют среднюю величину, называемую энергией связи. [38]
Первая из них - обычный процесс развития цепи, тогда как вторая включает процесс переноса цепи аллильным водородом. Если далее предположить, что получающийся ( очень стойкий) аллильный радикал не способен начать другую цепь, но находится в системе до тех пор, пока не столкнется с другим радикалом, то подтверждаются наблюдаемые кинетические результаты. Такой изотопный эффект является хорошо разработанным методом доказательства, что разрыв отдельной связи является стадией, определяющей скорость химической реакции или продукты, образующиеся при этом. [39]
С сопровождается миграцией водорода к иону, содержащему кольцо. Вероятность этой миграции, измеряемая отношением высот пиков ионов с массами 91 и 92, возрастает с увеличением длины цепи. Если Х Н, a Y и Z радикалы больше метильного, то появляются заметные пики, соответствующие разрыву отдельных связей в этих радикалах; в случае нормального строения радикалов интенсивность указанных пиков прямо пропорциональна числу углеродных атомов в нейтральных осколках. [40]
 |
Атомные плоскости в кристалле одного из соединений платины ( рамкой выделена область, в которой атомные плоскости изогнуты из-за наличия дислокаций. [41] |
Для этого требуются большие усилия, что равносильно высокой прочности идеальных кристаллов. Иной механизм разрушения имеет место в реальных кристаллах, содержащих дислокации. Сущность его сводится к тому, что при наличии краевой дислокации сдвиг одной части кристалла по отношению к другой происходит не за счет одновременного разрыва всех атомных связей в плоскости скольжения, а путем постепенного ( эстафетного) разрыва отдельных связей в ходе движения краевой дислокации скольжением, на что не требуется больших усилий. [42]
 |
Механические и структурные свойства полипропиленового волокна, вытянутого при различных температурах. [43] |
Дальнейшими исследованиями было установлено [23], что при деформации волокон и пленок из полипропилена и полиамидов образуются субмикроскопические трещины, поперечный размер которых соответствует поперечному размеру фибрилл, а продольный - продольному размеру межкристал-литных участков. Наиболее вероятным местом образования трещин в ориентированных полимерных материалах являются внутрифибриллярные межкристаллические участки, поскольку продольный размер трещин практически равен продольному размеру растянутого аморфного участка. По мнению авторов, при деформации полимера количество трещин возрастает при их практически постоянном размере. Возникая в полимере под нагрузкой, такие трещины характеризуют первую стадию разрушения - от разрывов отдельных связей к нарушению сплошности, а затем - к разрушению полимера. [44]
При наложении на полупроводник внешнего электрического поля дырки начинают двигаться упорядоченно по направлению поля, образуя электрический ток. Следовательно, электропроводность акцепторных полупроводников является дырочной. Акцепторные полупроводники называют полупроводниками р-типа. В таком полупроводнике дырки являются основными носителями тока, а электроны ( появившиеся при разрыве отдельных связей в собственном полупроводнике под действием нагревания или облучения) являются неосновными носителями тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4