Исходный расплав
Cтраница 1
 |
Барабанный кристаллизатор с нижним питанием. [1] |
Исходный расплав непрерывно подается по трубе 16 в ванну кристаллизатора, где поддерживается постоянный уровень. В ванну на определенную глубину погружен охлаждаемый барабан /, медленно вращающийся вокруг оси. При контакте охлаждаемой поверхности барабана с расплавом на ней образуется кристаллический слой. При выходе из ванны вращающийся барабан увлекает и пленку расплава, которая также кристаллизуется. [2]
 |
Дисковый кристаллизатор.| J. 11. Барабанный кристаллизатор с водяным охлаждением. [3] |
Исходный расплав / поступает в междисковое пространство через верхний питающий штуцер, расположенный на крышке кристаллизатора. [4]
Исходный расплав Р лежит в кристаллизационном объеме СаО, выделяющейся в качестве первичной фазы при охлаждении расплава. Далее кривая кристаллизации выходит на пограничную поверхность LKDX и продолжается по линии пересечения этой поверхности плоскостью СаО - СзЗ - Р - СаО при этом реагирует с расплавом, с образованием 3 СаО - 8Ю2 и оказывается полностью израсходованной в точке пересечения линии Сз8 - Р поверхностью LKDX. Совместное дальнейшее выделение двух фаз приводит к границе ETZ, имеющей инконгруэнтный характер. [5]
Исходный расплав К лежит в объеме Q и поэтому первоначально, при охлаждении, кристаллы выпадают вдоль отрезка кривой кристаллизации / С / ь являющегося продолжением первичного луча QK вплоть до достижения в точке li пограничной поверхности. [6]
Исходный расплав Р лежит в кристаллизационном объеме СаО, выделяющейся в качестве первичной фазы при охлаждении расплава. Далее кривая кристаллизации выходит на пограничную поверхность LKDX и продолжается по линии пересечения этой поверхности плоскостью СаО - C3S - Р; СаО при этом реагирует с расплавом с образованием ЗСаО SiO - и оказывается полностью израсходованной в точке пересечения линии C3Si - Р поверхностью LK. Кривая кристаллизации следует далее внутри первичного объема ЗСаО SiiO, пока не достигнет в зависимости от состава исходного расплава либо поверхности C3S - C2S, либо C3S - С А. [7]
Исходный расплав непрерывно подается по трубе 16 в ванну кристаллизатора, где поддерживается постоянный уровень. В ванну на определенную глубину погружен охлаждаемый барабан, медленно вращающийся вокруг своей оси. При контакте охлаждаемой поверхности барабана с расплавом на ней образуется кристаллический слой. Кроме того, вращающийся барабан при выходе из ванны увлекает пленку расплава, которая также кристаллизуется. [9]
 |
Схема двухбарабанного кристаллизатора. [10] |
Исходный расплав подается по трубе 4 в поливной лоток 5, снабженный обогревающей рубашкой. [11]
Исходный расплав поступает в ыеж дисков он пространство через верхний питающий штуцер, расположенный на крышке кристаллизатора. [12]
Исходный расплав обычно загружается в аппарат через штуцер в крышке после предварительного подогрева горячей водой или каким-либо другим теплоносителем до температуры на 5 - 10 С выше точки ликвидуса исходного расплава. После окончания загрузки начинается постепенное охлаждение расплава путем отвода тепла циркулирующим теплоносителем. [13]
Исходный расплав подается в зону охлаждения, где он частично кристаллизуется. При этом оставшиеся кристаллы постепенно продвигаются к плавителю, где они полностью расплавляются. Отсюда часть расплава выводится в виде высокоплавкого продукта, а остальная часть движется навстречу опускающимся кристаллам, вымывая из них низко-плавкие примеси, которые удаляются через фильтр с маточной жидкостью. [14]
Исходный расплав 2 содержит некоторый избыток вещества А по сравнению с составом образующегося соединения. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5