Расположение - уровни
Cтраница 1
Расположение уровней зависит от индивидуальных свойств молекулы, которые, как видно из уравнения, входят в выра -: экекие для момента инерции. [1]
Расположение уровней примесей и зон в кристалле полупроводника. [2]
Зная расположение уровней, можно найти спектр излучения ( или поглощения) молекул, который по своему характеру резко отличается от атомных линейчатых спектров. При этом, однако, Необходимо учесть одно важное обстоятельство. XII, посвященной теории излучения, будет показано, что переходы ме - Жду уровнями ограничены так называемыми правилами запрета или отбора. [3]
Схема расположения уровней при стопорной заливке: а - начальный и б - конечный моменты. [4]
 |
Температурная зависимость магнитного момента, рассчитанного на один атом металла для тримера d2 - d2 - d2. [5] |
Порядок расположения уровней, указанный на рис. 4, соответствует положительным значениям У; при отрицательных значениях J порядок расположения уровней изменяется на обратный. [6]
Если бы расположение уровней, показанное на упрощенной схеме рис. 1, было единственным фактором, влияющим на поглощение и испускание света, то спектры поглощения и флуоресценции представляли бы собой последовательности одинаковых по интенсивности полос, идущие соответственно к коротким и длинным волнам. [7]
 |
Изотермы для системы AgBr Си. случай, когда медь размещается в узлах решетки и может проявляться в двух валентных состояниях. В левом нижнем углу - схема энергетических уровней. [8] |
Принятая схема расположения уровней в некоторой степени произвольна. Если истинное расположение уровней иное, скажем уровень меди лежит ниже, то соответственно изменяются изотермы. [9]
Такой порядок расположения уровней обусловлен тем фактом, что неподеленные электронные пары нельзя рассматривать изолированно от других частей молекулы. [10]
Энергетическая диаграмма расположения уровней для одного Srf-электрона, демонстрирующая влияние кристаллических полей ( КП) различной симметрии. Занятые электронами уровни отмечены кружком в состоянии ( г) и стрелками в ( д), чтобы обозначить поляризацию спинов. [11]
При таком расположении уровней синглетных и триплетных состояний ( близко к их вырождению) должна наблюдаться конфигурационная неустойчивость типа VIIa. Поскольку энергетический барьер изомеризации VIIa VII6 очень низок, экспериментально очень трудно сделать выбор между квадратной и прямоугольной структурами. [12]
Это приводит к расположению уровней d i и сГ г-орбиталей в октаэдрическом поле лигандов на 3 / 5Доь выше, a dxy, dtfz, d - орбиталей на 2 / бД ниже уровня невозмущенных d - орбиталей. [13]
Кристалл с таким расположением уровней является изолятором. В нем заполненные уровни энергии отделены от заполненных уровней областью недозволенных энергий с интервалом Ае. Для того чтобы тепловое возбуждение могло перевести электрон из заполненного в незаполненное состояние, тепловая энергия должна быть порядка АЕ. То же относится и к возбуждению электронов электрическим полем. Значения соответствующей температуры или напряженности поля оказываются очень большими. При обычных температурах и полях электроны остаются на заполненных уровнях и не могут переносить тока. Таким образом, диэлектрик отличается от металла не общим числом электронов, а характером расположения полос дозволенных энергий. [14]
Учитывая особенности в расположении уровней тяжелых и легких ядер, можно заключить, что у легких ядер интервал энергии, в котором действует закон l / v, будет гораздо больше, чем в случае тяжелых ядер. [15]
Страницы: 1 2 3 4