Расположение - уровни - энергия
Cтраница 2
В то время как измерением положений линий в спектре определяют расположение уровней энергии, измерения времен жизни возбужденных состояний молекул - удобный источник получения информации о силе осцилляторов молекулярных переходов и факторах Франка - Кондона. [16]
В отличие от привычных свойств отдельных молекул для макроскопической системы расположение уровней энергии может зависеть от объема системы и от наличия внешних потенциальных полей. Это позволяет использовать простой математический прием, который оказался очень полезным для статистического вычисления средних значений. Средние значения функций от динамических переменных получают дифференцированием InZ по тем или иным параметрам. [17]
 |
Изображение одинаковых по симметрии атомных орбиталей ме. [18] |
Эта диаграмма содержит много приближений и дает лишь качественное представление о расположении уровней энергии. Поэтому энергия a) g - и щ - МО наименьшая, а энергия a g - и - МО - наибольшая, чем энергия ея - и е е - МО соответственно. [19]
Скорость движения источника, необходимая для достижения резонанса, зависит от различия в расположении уровней энергии ядер источника и образца, которое, в свою очередь, определяется природой и величиной взаимодействия между ядрами и их химическим окружением. Исследование этих взаимодействий составляет основу применения эффекта Мессбауэра в химии. Изменение окружения ядер проявляется в спектре как сдвиг линий поглощения и ( или) их расщепление. Результаты экспериментов фиксируют как значения химического сдвига ( б), квадрупольного расщепления и эффекта Зеемана - - сверхтонкого расщепления линий при наложении внешнего магнитного поля. [20]
В отличие от привычных свойств уровней энергии отдельных молекул для макроскопической системы в целом расположение уровней энергии, вообще говоря, зависит от координат внешних тел ( которые определяют объем системы и ее положение в пространстве) и от наличия внешних потенциальных полей. Это позволяет использовать простой математический прием, который оказался очень плодотворным при статистическом вы-чис ении средних значений. Средние значения функций от динамических переменных получают дифференцированием InZ по тем или иным параметрам. [21]
В отличие от привычных свойств уровней энергии отдельных молекул для макроскопической системы в целом расположение уровней энергии, вообще говоря, зависит от координат внешних тел ( которые определяют объем системы и ее положение в пространстве) и от наличия внешних потенциальных полей. Это позволяет использовать простой математический прием, который оказался очень плодотворным при статистическом вычислении средних значений. Средние значения функций от динамических переменных получают дифференцированием InZ по тем или иным параметрам. [22]
 |
Диаграмма уровней энергий для конфигурации d7. [23] |
Кроме двух рассмотренных крайних случаев существуют поля промежуточной силы, для которых также можно рассчитать число и расположение уровней энергии в кристаллическом поле, исходя как из приближения слабого поля, так и из приближения сильного поля. В качестве примера на рис. 4 приведена схема уровней энергий - конфигурации для трех случаев величины возмущающего поля. [24]
Отсутствие флуоресценции у хинолина в неполярны; растворителях и появление полосы флуоресценции, по добной полосе нафталина, в спектре хинолина в полярны; растворителях149 155 объясняется изменением относитель ного расположения уровней энергии 5ля - и Гп - состоянш хинолина. Под влиянием полярного растворителя, особен но при образовании межмолекулярной водородной связи энергия 5ПП - и / - состояний повышается и оказываете. [25]
 |
Кривые потенциальной энергии У для экснмера. ( А Д - основное состояние, ( А В-первое электронно-возбужденное состояние. Стрелки указывают пути излучат перехода из верхнего состояния в нижнее. [26] |
Эксимеры с временами жизни порядка 10 - 8 с наблюдаются, напр. Сходное расположение уровней энергии может возникать и при сближении неодинаковых молекул; образующиеся при этом возбужденные комплексы наз. [27]
 |
Схема уровней энергии металла ( а и полупроводника ( б. За начало отсчета энергии принята энергия электрона, покоящегося в вакууме. [28] |
Представление величины / 7 в виде суммы двух членов удобно, поскольку величина зависит только от вида полупроводникового вещества, в то время как х зависит от температуры, вида и количества легирующей примеси, как это было найдено нами в третьей главе. На рис. 97 представлена схема расположения уровней энергии в металле и полупроводнике при условии, что за начало отсчета энергии принята энергия электрона, покоящегося в вакууме. [29]
 |
Спектры поглощения фотографического сенсибилизатора 1 1 -диэтил - 3 3 3 3 -тетраметилтиакарбоцианинио - Дида. [30] |
Страницы: 1 2 3 4