Cтраница 3
В течение долгого времени преобладала идея о том, что вероятность эпитаксии возникает тогда, когда в данной ориентацион-ной зависимости имеется подобие между точками подложки и решеткой осадка. Этой теории соответствия Франком и Ван-дер - Мерве [229] была дана специфическая формулировка, которая утверждает, что исходной стадией роста ориентированного слоя является образование монослоя осадка, который вынужден иметь атомное расположение, подобное тому, которым обладает подложка при условии, что несоответствие между принудительно сочетаемыми решетками является меньше некоторой критической величины. Предполагается, что по мере утолщения осадка аккумулируемая энергия напряжения, вызванная сжатием границы раздела, будет способствовать возникновению межфазных дислокаций, ослабляющих это напряжение. Теперь становится ясным, что для понимания этих явлений необходимо знать больше о механизме возникновения зародышей и роста, чем это доступно в настоящее время. Опыты Пальмберга, Родена и Тодда [230] выявили, насколько важную роль могут играть условия образования зародышей для эпитаксии. При температурах ниже 200 для роста ориентированных осадков серебра и золота на подложке из КС1 существенную роль играет ее предварительная электронная бомбарди ровка. Тот факт, что эпитаксиальные пленки можно выращивать при более высоких температурах так долго, как это возможно для исходного осадка ниже 200, указывает на то, что дефекты поверхности, которые образуются при электронной бомбардировке, влияют на образование зародышей, а не на процесс роста. [31]
Возникают хорошо ограненные кристаллы с большими периодами повторяемости, порядка сотен ангстрем. Своеобразие подобных глобулярных кристаллов, образуемых многими белками и вирусами, заключается в том, что конформации макромолекул внутри глобул не в точности повторяют друг друга. Детали атомного расположения в двух соседних макромолекулах в нек-рых случаях могут отличаться незначительно, с разбросом порядка 1 А, но иногда и очень сильно - с разбросом порядка 10 А. Существуют и такие кристаллич. Такие кристаллы могут иметь ограненные формы, не обнаруживая при этом типичной для кристаллов дифракционной картины рентгеновских лучей. [32]
Наша цель состоит в том, чтобы в первой части этой книги представить основы геометрии и топологии, необходимые для понимания трехмерных систем атомов, которые составляют молекулы и кристаллы, и дать возможность описать наиболее важные структуры наипростейшим возможным способом. Ввиду чрезвычайного разнообразия атомных расположений, найденных в кристаллах, важно обратить внимание на любые принципы, которые могут упростить нашу задачу. Поэтому здесь мы отмечаем некоторые соотношения между кристаллическими структурами, которые будут полезны в дальнейшем. [33]
Сравниваются функции W ( r) для сплавов Ni-P и ПБУ жестких сфер. Получено их большое сходство. Следовательно, можно положить, что эта жидкоподобная структурная модель может быть полезным представлением атомного расположения во многих некристаллических твердых телах. Модель ПБУ может быть полезной для интерпретации механических, электронных, магнитных и термических свойств некристаллических металлических твердых тел. [34]
Этот метод является основным инструментом рентгеноструктурного анализа кристаллов. Существенно, конечно, и то обстоятельство, что все дифракционные лучи имеют одну и ту же длину волны, что позволяет воспользоваться наиболее интенсивной / ( а-линией линейчатого спектра. Основной недостаток метода - необходимость монокристаллического образца исследуемого вещества. К сожалению, этот недостаток непреодолим, и весь современный структурный анализ - определение атомного расположения в элементарной ячейке и решение других, более тонких задач строения ( см. гл. V, § 4) - основан на исследовании монокристаллов. Поэтому, в частности, получение достаточно крупных кристаллов в процессе синтеза ( кристаллов миллиметрового размера) становится одной из насущных задач химического синтеза. [35]
Этот метод является основным инструментом рентгеноструктурного анализа кристаллов. Существенно, конечно, и то обстоятельство, что все дифракционные лучи имеют одну и ту же длину волны, что позволяет воспользоваться наиболее интенсивной Ка-линией линейчатого спектра. Основной недостаток метода - необходимость монокристаллического образца исследуемого вещества. К сожалению, этот недостаток непреодолим, и весь современный структурный анализ - определение атомного расположения в элементарной ячейке и решение других, более тонких задач строения ( см. гл. V, § 4) - основан на исследовании монокристаллов. Поэтому, в частности, получение достаточно крупных кристаллов в процессе синтеза ( кристаллов миллиметрового размера) становится одной из насущных задач химического синтеза. [36]
Автор этой книги как-то назвал период 40 - 50 - х годов эпохой романтического рентгеноструктурного анализа. Применялись разнообразные весьма тонкие методы обработки экспериментального материала, призванные извлечь из него именно те детали структуры, которые представлялись ключевыми для дальнейшего продвижения в анализе атомного расположения. Высоко ценилось изящество приемов, позволявшее добиться результата с минимальной затратой времени и средств на получение экспериментальных данных и расчетные процедуры. [37]