Распределение - концентрация - дырка
Cтраница 1
Распределение концентрации дырок в базе диода р ( х, t) находят из решения нестационарного уравнения непрерывности для дырок. Это уравнение здесь не приводится. [1]
Распределение концентрации дырок р ( х, t), полученное для этого случая из решения уравнения непрерывности, описывается довольно громоздким выражением. Графически для отдельных моментов времени оно изображено на рис. 2.3. В рассматриваемом случае градиент дырок на границе п-базы с п - п переходом равен нулю, так как дырочный ток через этот переход полагается пренебрежимо малым. [2]
 |
Движение носителей в транзисторе типа р-п - р ( а и распределение концентрации носителей в нем ( б. [3] |
Распределение концентрации дырок на пути их движения от эмиттерного перехода к коллекторному отличается от линейного благодаря постепенной рекомбинации некоторого числа дырок с электронами. На границе коллекторного перехода дырки попадают в зону действия ускоряющего поля в переходе и, пройдя коллекторный слой, создают коллекторный ток / к. Значение этого тока определяется касательной к кривой косеканса у коллекторного перехода. [4]
Распределение концентрации дырок в базе р ( х) для последовательных моментов времени показано на рис. 1.28, а. Поэтому при скачке тока через р-п переход концентрация дырок меняется таким образом, что градиент концентрации дырок dp / dx при х0 в любой момент времени постоянен. Это указывает на емкостный характер сопротивления р-п перехода. [5]
 |
Распределение в транзисторе. [6] |
Распределение концентрации дырок в базе для рассмотренной полярности включения источников напряжения показано на рис. 10, в. [7]
Распределение концентрации дырок в базе для режима насыщения показано на рис. 13, в. Концентрация дырок на границе базы и коллектора становится выше равновесной. В соответствии с соотношением ( 1) это означает, что на коллекторном переходе действует прямое напряжение. Таким образом, в режиме насыщения коллектор, так же как и эмиттер, имеет положительный потенциал относительно базы. [8]
 |
Зависимость неравновесной концентрации дырок Ар. [9] |
Сравним распределение концентрации дырок в широкой базе в случае одномерного представления картины переходного процесса [3] и в случае учета двумерного характера физических процессов в структуре. [10]
При УКб 1 0В распределение концентрации дырок в базе имеет вид, показанный на фиг. [11]
На рис. 16.5 6 показано распределение концентраций дырок р ( х) и электронов п ( х) в полупроводнике. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от - области к / 7-области, как показано на рис. 16.5, а. Это поле является тормозящим для основных носителей заряда. Теперь любой электрон, проходящий из л-области в / 7-область, попадает в электрическое поле, стремящееся возвратить его обратно в электронную область. [12]
На рис. 16.5 6 показано распределение концентраций дырок р х) и электронов и ( х) в полупроводнике. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от - области к р-области, как показано на рис. 16.5, а. Это поле является тормозящим для основных носителей заряда. Теперь любой электрон, проходящий из - области в / - область, попадает в электрическое поле, стремящееся возвратить его обратно в электронную область. [13]
 |
Временные диаграммы работы транзистора в режиме ключа. [14] |
На рис. 4.26 показаны диаграммы распределения концентрации дырок в базе. [15]
Страницы: 1 2 3