Распределение - концентрация - дырка
Cтраница 3
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при пг стоянном токе базы ( б.. / кэ. 1. / кэ. [31] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [32]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы. [33] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви вольт-амперной характеристики диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-я-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбинационная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [34]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. [35] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви ВАХ диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на p - n - переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 4.18, б, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбина-ционная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, пропорциональна площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [36]
Она аналогична току инжекции электронов из эмиттера в базу. Расстояние Хе от эмиттерного электрода до эмиттерного перехода может быть больше или меньше диффузионной длины Lp дырок. В зависимости от этого меняется распределение концентрации дырок в эмиттерной области. [37]
Страницы: 1 2 3