Распределение - концентрация - дырка
Cтраница 2
На рис. 4.20 штриховыми линиями показаны распределения концентраций дырок в установившемся режиме для трех различных значений тока эмиттера: / эь / Э2, Дз - Пренебрегая электронной и рекомбинационнои составляющими тока эмиттера и неуправляемым током коллектора, можно утверждать, что в установившемся режиме / э / к, что является следствием линейного распределения концентрации дырок в базе, при котором градиенты концентрации возле эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы. [16]
В частности, если хЕ Ьр, то распределение концентрации дырок полностью соответствует распределению концентрации электронов в базе. [17]
 |
Распределение концентрации дырок в базе при медленных и быстрых изменениях тока эмиттера. [18] |
На рис. 4.19, б штриховыми линиями показаны распределения концентраций дырок в установившемся режиме для трех различных значений тока эмиттера: / 81, / эг, Увз. Пренебрегая электронной и рекомбинационной составляющими тока эмиттера и неуправляемым током коллектора, можно утверждать, что в установившемся режиме / э / к, что является следствием линейного распределения концентрации дырок в базе, при котором градиенты концентрации возле эмиттерного и коллекторного переходов одинаковы. [19]
Увеличение тока эмиттера можно объяснить, пользуясь диаграммой распределения концентрации дырок в базе, которая приведена на рис. II, в. Здесь прямая / соответствует напряжению UK6 О, а прямая 2 - обратному напряжению на коллекторном переходе порядка 0 1 В. При переходе от прямой / к прямой 2 увеличивается градиент концентрации дырок, а следовательно, и обусловленный им ток эмиттера. При дальнейшем повышении обратного напряжения на коллекторе ток эмиттера почти не изменяется, так как почти не изменяется градиент концентрации дырок в базе. [20]
 |
Рассасывание концентрации неосновных носителей в сплавном диоде в процессе выключения. [21] |
Отметим, что во время первой фазы1) рассасывания граничным условием является постоянство обратного тока и, следовательно, постоянство наклона кривой распределения концентрации дырок у перехода. [22]
Рассмотрим кремниевый р - - о, n - переход, числовые значения параметров которого даны в приложении 2.1. На рис. 2.2 6 показаны распределения концентраций дырок и электронов. Во всем обедненном слое они очень малы. На рис. 2.2 6 в линейном масштабе концентрации воспринимаются равными нулю. Таким образом, область p - n - перехода обеднена свободными носителями и содержит равные по абсолютному значению положительный и отрицательный заряды нескомпенсированных ионов примесей. В ней существует внутреннее электрическое поле и потенциальный барьер. Удельное сопротивление обедненной области на много порядков выше, чем соседних нейтральных областей ( базы и эмиттера) Переход в состоянии равновесия характеризуется высотой потенциального барьера ф0, толщиной обедненного слоя L0r, и максимальной напряженностью внутреннего электрического ПОЛЯ § макс. [23]
 |
Распределение дырок в базе при активном, граничном и насыщенном режимах. [24] |
Разность Q - Qrp QaaS называют избыточным зарядом; следовательно, степень насыщения характеризует относительную величину избыточного заряда. На рис. 15 - 10 показано распределение концентрации дырок ( и тем самым заряда) для разных режимов работы транзистора. [25]
 |
Распределение дырок в базе при активном, граничном и насыщенном режимах. [26] |
Разность Q - Qrp QK3a называют избыточным зарядом; следовательно, степень насыщения характеризует относительную величину избыточного заряда. На рис. 14 - 10 показано распределение концентрации дырок ( и тем самым заряда) для разных режимов работы транзистора. [27]
Распределение концентрации дырок в базе для рассмотренной полярности включения источников напряжения показано на рис. 10, в. Пунктиром показано распределение концентрации дырок в базе при отсутствии источников напряжения. [28]
 |
Выходные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( а, и распределение концентрации дырок в области базы при постоянном токе базы ( б. UK3. / кэ. [29] |
Общий характер этих зависимостей аналогичен характеру обратной ветви вольт-амперной характеристики диода, так как большая часть напряжения источника питания выходной цепи падает на р-п-переходе коллектора, включенном в обратном направлении. Причины этого явления поясняет рис. 2.18 6, на котором видно, что с увеличением напряжения на коллекторе при постоянном токе базы увеличивается ток эмиттера и соответственно растет ток коллектора. Напомним, что основная составляющая тока базы ( рекомбинаци-онная) приблизительно пропорциональна общему числу дырок в базе и, следовательно, площади под кривыми распределения концентрации дырок в базе. [30]
Страницы: 1 2 3