Распределение - концентрация - примесь
Cтраница 2
Сюда относятся результаты измерения распределения концентраций примеси. [16]
Мы рассматриваем задачу о распределении концентрации примеси в однородном расплавленном слитке конечной длины при равномерном движении вдоль него фронта кристаллизации. [17]
На рис. П-3 показана диаграмма распределения концентрации примеси по поперечному сечению пластинки. Так как объемные заряды на каждой стороне перехода должны быть одинаковы, то область объемного заряда будет глубже распространяться в менее легированную область. Предполагается, что распределение примесей в областях я - и р-типа однородно, а переходы - резкие. [18]
 |
Неравномерное легирование полупроводника.| Диффузионные и а рейфовые токи в пластине с неравномерным распределением примеси. [19] |
В неоднородных полупроводниках из-за неравномерности распределения концентрации примесей и носителей заряда по кристаллу уровень Ферми располагается на неодинаковом расстоянии от границ разрешенных зон. В области, где значение концентрации носителей больше, уровень Ферми приближается к разрешенной зоне, а в области с меньшей концентрацией удаляется к середине запрещенной зоны. [20]
С использованием метода порядковых статистик изучено распределение концентраций примесей в высоко чистых веществах и очищенных методом препаративной хроматографии. Предложено уравнение для описания кривой распределения. Кривая распределения носит экспоненциальный характер; с уменьшением уровня концентраций примесей резко возрастает число компонентов примесей. [21]
 |
Распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии ( а. исходная пластина германия я-типа ( б. получение кристалла транзистора ( в. [22] |
На рис. 4.30, а приведено распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диф-б фузии. Для изготовления такого транзистора пластинку германия, легированную донорной примесью ( рис. 4.30, б), помещают в вакуумную печь вместе с некоторым количеством донорной и акцепторной примеси. При повышенной температуре примесь диффундирует в глубь полупроводника, причем, чем выше температура и время диффузии, тем на большую глубину проникают атомы примеси. [23]
 |
Схематическое распределение диффундирующей примеси для различного времени диффузии.| Схематическое распределение концентрации примесей в диффузионном р-п перехэде. [24] |
На рис. 80, где схематически показано распределение концентрации примеси вблизи диффузионного р - п перехода, видно, что для материала с меньшей концентрацией примеси N2LNi р - п переход образуется на меньшей глубине х [ от поверхности, а градиент концентрации хг-х меньше х2 - 2 ( изменение концентрации атомов примеси с изменением расстояния) примеси вблизи р - п перехода больше. [25]
Аналитическое решение возможно в тех случаях, когда распределение концентрации примесей является интегрируемой аналитически функцией и полученная система уравнений имеет аналитическое решение. В частности, аналитическое решение возможно для резкого р-и-перехода, для плавного / 7-я-перехода с линейным распределением концентрации примесей и других плавных р - / г-переходов. [26]
Аналитическое решение возможно в тех случаях, когда распределение концентрации примесей является интегрируемой аналитически функцией и полученная система уравнений имеет аналитическое решение. В частности, аналитическое решение возможно для резкого p - n - перехода, для плавного р-п-перехода с линейным распределением концентрации примесей и других плавных р-я-переходов. [27]
Аналитическое решение возможно в тех случаях, когда распределение концентрации примесей является интегрируемой аналитически функцией и полученная система уравнений имеет аналитическое решение. В частности, аналитическое решение возможно для резкого р-л-перехода, для плавного р-л-перехода с линейным распределением концентрации примесей и других плавных р-л-переходов. [28]
 |
Изменение профиля концентрации примеси в зависимости от времени диффузии иэ постоянного источника. [29] |
Это табулированная функция; семейство кривых, изображающих распределение концентрации примеси N ( x) для различных моментов времени 1г / 3 приведено на рис. 2.3. По мере протекания диффузии примесь проникает все глубже в подложку. Очевидно, при бесконечно большом времени диффузии концентрация N0, имеющаяся у поверхности подложки, установилась бы во всем объеме полупроводника. Получение нужного профиля концентрации легирующей примеси становится возможным, если в определенный момент времени остановить диффузию, охладив подложку. [30]
Страницы: 1 2 3 4