Распределение - концентрация - примесь
Cтраница 3
Формула ( 6.39 а) обычно используется для описания распределения концентраций примесей в скрытом л - слое, области разделительной диффузии, акцепторной примеси в базовом диффузионном слое ( в случае п-р-п-р вертикальной структуры транзистора), а также акцепторной примеси в слое дополнительного легирования области базы, предназначенного для обеспечения омического контакта базы с металлическим выводом. [31]
Исследуем более подробно p - n - переход с линейным законом распределения концентрации примесей. [32]
Таким образом, зависимость емкости рп-перехода от напряжения смещения зависит от формы распределения концентрации примеси. Технологически можно сформировать такое распределение примеси, при котором емкость рп-перехода будет сильно меняться в зависимости от приложенного напряжения. Диоды с такими pn - переходами служат конденсаторами переменной емкости. [33]
Недостатком метода является то, что сам процесс диффузии обусловливает некоторую неравномерность распределения концентрации примесей в полупроводнике, что затрудняет получение четких границ областей с различным типом проводимости. [34]
В ЛПД напряженность поля вдоль структуры изменяется неравномерно, что обусловлено соответствующим законом распределения концентрации примесей. [35]
Если концентрация примеси в полупроводнике зависит от координаты, то вследствие диффузии носителей заряда устанавливается распределение концентрации примеси и в результате возникает отклонение от электронейтральности. [36]
Для получения заданных параметров эпитаксиальных слоев осуществляют контроль и регулировку толщины, удельного сопротивления, распределения концентрации примеси по толщине слоя и плотности дефектов. Эти параметры слоев определяют пробивные напряжения и обратные токи р-ге-переходов, сопротивления насыщения транзисторов, внутреннее сопротивление и вольт-фа-радные характеристики структур. [37]
Ео ис, фк - контактная разность потенциалов, п - коэффициент, определяемый законом распределения концентрации примесей в переходе. [38]
Сопротивление базы ГБ является важным физическим параметром транзистора, его значение определяется размерами структуры и распределением концентраций примесей в активной и пассивной областях базы. [39]
Потоки воздуха, образующиеся при вентиляции помещений, характеризуются высокой степенью турбулентности, влияния которой на распределение концентрации примесей нельзя не учитывать. [40]
Более того, уменьшение величины v оказывается даже целесообразным, так как обусловлено возрастанием такой неравномерности распределения концентрации примесей в полупроводнике, которая ведет к появлению значительного тормозящего электрического поля вблизи р-п перехода. Тормозящее поле локализирует во время открывания ва-рактора накапливаемый заряд в непосредственной близости от р-п перехода, не позволяя ему растекаться в периферийные по отношению к р-п переходу области, и тем самым убыстряет процесс восстановления закрытого состояния р-п перехода. Ускорение процесса восстановления, как будет показано в дальнейшем, благоприятно с точки зрения уменьшения потерь мощности в варакторе. [41]
 |
Коэффициент диффузии примесей в кремнии при различных температурах. [42] |
Последнее соотношение называется уравнением диффузии, н в ряде случаев оно может быть использовано для расчета распределения концентрации примеси, полученного в результате проведения диффузии в полупровэдник. [43]
Регулирование эффективности эмиттерного перехода можно осуществить его закорачиванием посредством структурных приемов вместо средств, связанных с контролем распределения концентрации примесей между эмиттером и базой. Такая структура показана на фиг. [44]
Полупроводниковые структуры эпитаксиально-планар-ных транзисторов в зависимости от требуемых электрических параметров отличаются как геометрическими размерами областей, так и распределениями концентраций примесей. [45]
Страницы: 1 2 3 4