Распределение - концентрация - примесь
Cтраница 1
 |
Распределение концентрации примесей при двукратной диффузии. [1] |
Распределение концентрации примесей зависит от технологии формирования рассматриваемой области кристалла. При эпитаксии примеси распределяются равномерно. [2]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные p - n - переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины p - n - перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий p - n - переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины p - n - перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [3]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные p - n - переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-я-перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий р - - переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины р-га-перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [4]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-л-переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины p - n - перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий р-я-переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины p - n - перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [5]
Таким образом, распределение концентрации примеси в этом случае зависит от поверхностной концентрации примеси Ns, коэффициента диффузии примеси D и времени диффузии / и происходит по закону дополнительной функции ошибок. [6]
Эти функции дают распределение концентрации сорбируемой примеси в фильтрационном потоке и твердой фазе в тех случаях, когда влияние диффузионного перемешивания пренебрежимо мало по сравнению с конвективным переносом. [7]
Вопрос о расчетах распределения концентрации примесей в вертикальном факеле исследован весьма слабо. Для ориентировочных расчетов распределения концентрации примесей в вертикально поднимающейся струе IB однородной среде используют соотношения Абрамовича ( 1960), Альбертсона и соавторов ( Albertson a. В работе Пааль, Вельнера и Айт-сама ( 1965) приводятся полуэмпирические зависимости Тэйло-ра - Мартона и Роуза для расчета распределения концентрации примесей в стратифицированной среде. [8]
При резком или ступенчатом распределении концентрации примеси ( переход получен методом сплавления) емкость перехода обратно пропорциональна корню квадратному из напряжения на переходе. В случае плавного изменения концентрации ( переход получен методом диффузии) емкость перехода обратно пропорциональна корню кубическому из напряжения на переходе. Емкость резкого перехода с равномерным распределением примеси определяется величиной концентрации этой примеси. Следовательно, на сильно легированных материалах с малым удельным сопротивлением получаются р - п переходы с большей емкостью, чем на слабо легированных. [9]
 |
Проходные характеристики образцов КПТ при отношении концентраций Ns0 / Na ( s 0 15. 0 175.| Распределение концентраций примесей в канале эпитакеиального полевого транзистора с верхним затвором. [10] |
На рис. 5 приведено распределение концентрации примесей в затворе, канале и подложке эпитаксиально-то полевого транзистора. На рисунке приняты следующие обозначения: N s - поверхностная концентрация примесей при диффузии под верхний затвор, V s - концентрация примесей в подложке на границе эпитакси-ального слоя, W - толщина эпитакеиального слоя. [11]
На рис. 4.29 приведено распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии. Для изготовления такого транзистора пластинку кремния, легированную донорной примесью, помещают в диффузионную печь вместе с некоторым количеством донорной и акцепторной примесей. [12]
На рис. 2.8 показаны распределения концентраций примесей бора Na ( x) для одной и той же дозы легирования л-а, но разных энергий ионов. Длина пробега ионов является случайной величиной, распределенной по нормальному закону, и характеризуется средним значением / и среднеквадратическим отклонением ст. Обе величины 7 и а увеличиваются с ростом энергии ионов. [13]
Весьма часто при расчете распределения концентрации примеси 1 ебходимо решать задачу диффузии в полубесконечное тело. [14]
На основе порядково-статистического изучения распределения концентраций примесей в веществах, очищенных методом препаративной газовой хроматографии, предложено уравнение, описывающее это распределение. Распределение концентраций примесей от порядкового номера имеет экспоненциальный характер, что дает возможность определять содержание примесей в концентрациях, ниже уровня детектирования. Параметры статистического распределения предложено использовать для характеристики особо чистого вещества. [15]
Страницы: 1 2 3 4