Распределение - концентрация - электрон
Cтраница 1
Распределение концентрации электронов сокращается по длине следа при числах Льюиса и Прандтля, отличающихся от единицы, вследствие усиления диффузии по потоку. Так как предполагалось, что / ( 0) ft ( 0), влияние чисел Льюиса и Прандтля, представленное на фиг. [1]
 |
Распределение концентраций электронов и дырок в полупроводнике при обратном смещении р-п перехода.| Вольт-амперная характеристика идеального р-п перехода. [2] |
Распределения концентраций электронов и дырок при обратном смещении перехода приведены на рис. 1.14. Концентрации электронов в р-области и дырок в п-обла-сти уменьшаются и равны нулю на границах перехода. Это обусловлено тем, что все электроны из п-области, достигшие благодаря диффузии границы области объемного заряда перехода, перебрасываются электрическим полем Е в n - область. Аналогично дырки из л-области, достигшие другой границы перехода, перебрасываются полем Е в р-область. [3]
Аналогичное выражение определяет распределение концентрации электронов в переходе. [4]
 |
Траектории электронов, распределение концентрации электронов и мгновенный снимок колебаний в плоском магнетроне. [5] |
СВЧ иоле; 3 - распределение концентрации электронов вблизи анода ( для движущегося наблюдателя) - 4 - вторичные электроны ( дают до 90 % эмиссии катода); 5 - катод. [6]
 |
Работа диода в импульсном режиме ( случай R ГБ. [7] |
Гобр, что сопровождается изменением распределения концентрации электронов в базе ( рис. 10.16 в) и изменением тока через переход гп. В момент времени t ток in имеет наибольшее положительное значение. [8]
 |
Распределение концентрации электронов от координаты ( а, зависимость т ( т в транзисторе с ускоряющим полем в базе ( б и распределение п ( х в реальном транзисторе ( в. [9] |
В бездрейфовом транзисторе т ] 0, и распределение концентрации электронов в базе практически линейно. При наличии ускоряющего ( ri0) электрического поля часть тока электронов по-прежнему переносится за счет диффузии, а другая часть - за счет дрейфа. [10]
Но распределение концентрации зарядов IB этой области целиком зависит от распределения концентрации электронов и положительных ионов в граничащей с нею плазме, в которой Е может составлять около 1 в / см. Напряженностью того же порядка величины должно обладать поле в окрестностях катодного пятна. При такой напряженности А составляет не более 3 - 10 - 3 см. Из этого следует заключить, что электрическое поле вообще не может быггь отнесено к числу факторов, ограничивающих применимость правила соответствия к условиям дуги. [11]
В частности, если хЕ Ьр, то распределение концентрации дырок полностью соответствует распределению концентрации электронов в базе. [12]
Необходимо отметить использование ОКГ в научных исследованиях, например при измерениях плотности плазмы и распределения концентрации электронов в плазме. Излучение мощных ОКГ используется в физико-химических исследованиях. Под воздействием излучения происходит разрушение химических связей. Возможно создание разрядов в воздухе и других газах. ОКГ применяют в медицине при некоторых операциях; широко используют в технологических процессах. Применение ОКГ в логических элементах может привести к созданию сверхбыстродействующих ЭВМ. [13]
Для течения с медленным изменением параметров вдоль линии тока механизм рекомбинации при тройных соударениях определяет распределение концентрации электронов, если поле давления соответствует течению в области вязкого взаимодействия и в струе за скачком уплотнения. [14]
На диаграмме для транзистора без ДШ ( рис. 3.8, г) штриховая линия соответствует распределению концентрации электронов на границе активного режима и режима насыщения. Напомним, что избыточный заряд образуют электроны, дополнительно инжектируемые в базу при переходе из активного режима в режим насыщения. Время рассасывания этого заряда определяется временем пролета электронов через базу и для транзисторов с достаточно тонкой базой ( менее 1 мкм) составляет не более 1 не. [15]
Страницы: 1 2 3