Распределение - концентрация - электрон
Cтраница 2
Проведенный анализ возможных отступлений от правила соответствия в реальных условиях ртутной дуги приводит к выводу, что распределение концентрации электронов вокруг границ катодного пятна ( в области его электронной оболочки) должно зависеть определенным образом от распределения напряженности магнитного поля в этой области. Для этой зависимости характерно то, что максимуму напряженности должен соответствовать максимум концентрации электронов, а минимуму напряженности - ее минимум. Так как электроны являются основным агентом ионизации ртутного пара в дуговом разряде и возникающие в результате ионизации положительные ионы ртути должны компенсировать отрицательный объемный заряд, то аналогичное распределение концентрации устанавливается автоматически и для ионов. Таким образом, характер распределения зарядов вокруг границ катодного пятна в условиях дуги низкого давления должен всегда соответствовать в общих чертах характеру распределения магнитного поля. Воздействуя непосредственно на распределение зарядов во внешней зоне катодного пятна, магнитное поле осуществляет через ее посредство контроль над распределением зарядов в самом пятне. [16]
В активном режиме обратная связь в основном обусловлена рассмотренным выше ( см. § 4.4) эффектом Эрли и поясняется рис. 4.14, на котором показаны распределения концентраций электронов в базе при двух значениях обратного напряжения на коллекторном переходе и, следовательно, разных толщинах этого перехода и базы. Оба распределения соответствуют одному и тому же значению эмиттерного тока: при увеличении напряжения / КБ от t / KBi до t / квз граничная концентрация электронов ЛГР уменьшается. [17]
Ионизация примесей, потенциал ионизации которых существенно ниже, чем у N0 ( таких, как металлы, особенно из группы щелочных и щелочноземельных), может коренным образом повлиять на распределение концентрации электронов в следе. Однако примеси с потенциалом ионизации, равным или превышаю щим первый потенциал ионизации NO, который составляет 9 25 эв ( например, большинство неметаллических элементов и органических соединений, или элементов с высоким электронным сродством, как галогены), не изменяют распределения концентрации электронов. [18]
Приведены результаты теоретических исследований влияния кинетики элементарных процессов в химической системе Н, Н, О, Ог, СО, СС2, Н2О, ОН в присутствии Na и К на распределение концентрации электронов в плазме при сверхзвуковом расширении. Задача решается в квазиодномерном приближении для течения плазмы в коническом сопле, сверхзвуковом источнике и струе, истекающей в разреженное пространство. [19]
Следует принять, что расположение области эмиссии на катоде в - каждый рассматриваемый момент времени определяется расположением максимума концентрации зарядов в областях Vq и V, которое в свою очередь зависит от распределения концентрации электронов в электронной оболочке катодного пятна. Ввиду непрерывных, не поддающихся контролю изменений распределения концентрации зарядов во всех указанных областях область эмиссии должна претерпевать непрерывные быстрые изменения. От ее преимущественного расположения на катоде в течение рассматриваемого цикла перестройки пятна зависит направление перестройки, выражающейся в конечном счете в смещении области интенсивного испарения металла и изменении ее формы. [20]
Электроны обладают максвелловским распределением по скоростям. Распределение концентрации электронов в поперечном сечении положительного столба следует закону Больцмана. [21]
Если работа происходит на низкой частоте, то ток через диод протекает только в положительные полупериоды ( обратным тепловым током для простоты можно пренебречь), что показано пунктирным графиком на рис. 10.146. При работе на высокой частоте изменение тока характеризуется сплошным графиком на рис. 10.146. Различие в графиках обусловлено процессами накопления и рассасывания заряда в базе. Рассмотрим, как будет изменяться распределение концентрации электронов в базе при изменении напряжения, подводимого к диоду, эмиттер которого имеет электронную проводимость, а база - дырочную. [22]
Выражение такого вида эквивалентно статистическому распределению Больцмана и называется уравнением Эйнштейна. В сильных электрических полях форма распределения концентрации электронов изменяется, и выражения (2.42), (2.43) уже не действительны. [23]
Положительный объемный заряд дырок, вошедших в базу из эмиттера, привлекает в базу такое количество электронов, основных носителей заряда в базе, которое полностью компенсирует положительный электрический заряд базы. Диффузия дырок в базе сопровождается соответствующим изменением распределения концентрации электронов в базе, так что любой элемент объема базы остается электрически нейтральным. [24]
Основными ионизационными процессами, определяющими поле концентраций электронов и имеющими наименьшие времена релаксации, являются процессы, связанные с образованием комплексных ионов ЛН2О, которые необходимо учитывать при кинетических расчетах, если давление достаточно сильно падает вдоль линии тока. Для течения с медленным изменением параметров вдоль линии тока механизм рекомбинации при тройных соударениях также влияет на распределение концентрации электронов. Данный тип течения реализуется в области вязкого взаимодействия струи со стенкой и в струе за висячим скачком уплотнения. [25]
Рассмотренная выше простая модель катодного пятна позволяет предсказать, в каком направлении будет развиваться процесс перестройки пятна при тех или иных условиях опыта. При этом задача описания поведения катодного пятна сводится к исследованию устойчивости ячеек на различных участках катода и анализу распределения концентрации электронов вокруг границ пятна. Решение указанной задачи облегчается тем, что ниже нас будут интересовать исключительно закономерные изменения формы и расположения пятна на катоде. Вследствие этого отпадает необходимость подробного рассмотрения источников различного рода случайных временных изменений условий существования ячеек и распределения концентрации зарядов в области пятна. [26]
Возмущающее действие стороннего поля Н должно выразиться в стойком нарушении указанной симметрии. Напомним, что по идее рассматриваемой модели магнитное поле воздействует на распределение концентрации в пределах пятна не непосредственно, а путем внесения стойкой асимметрии в распределение концентрации электронов вокруг границ пятна в зоне сильного собственного поля дуги. Под влиянием асимметрии распределения поля вокруг границ пятна максимум вероятности W ( х, у) должен смещаться вместе с максимумом концентрации зарядов из центра О в направлении наиболее резкого увеличения напряженности на некоторый отрезок s, величина которого может служить количественной мерой возмущающего действия поля. [27]
Ионизация примесей, потенциал ионизации которых существенно ниже, чем у N0 ( таких, как металлы, особенно из группы щелочных и щелочноземельных), может коренным образом повлиять на распределение концентрации электронов в следе. Однако примеси с потенциалом ионизации, равным или превышаю щим первый потенциал ионизации NO, который составляет 9 25 эв ( например, большинство неметаллических элементов и органических соединений, или элементов с высоким электронным сродством, как галогены), не изменяют распределения концентрации электронов. [28]
Первое значение параметра n0L, составляющее примерно 2 5 1011 см 2 [4], является граничным при переходе из области дипольной неустойчивости в область неустойчивости с заряженным слоем. Физически значение критерия существования дипольного слоя n0L s 2 5 1011 см-2 можно рассмотреть на следующем примере. Пусть распределение концентрации электронов и напряженности электрического поля вдоль домена имеет вид, изображенный па рис. 8.6. Протяженность ( длина) отрицательного объемного заряда такого домена обычно значительно меньше положительного. Это связано с тем, что ограничивает концентрацию избыточных электронов лишь диффузия электронов из области отрицательного объемного заряда. Для того чтобы компенсировать отрицательный объемный заряд, положительно заряженная часть диполя должна быть достаточно протяженной, поскольку концентрация положительных ионов примеси постоянна. Следовательно, домен не может быть бесконечно тонким, и для данной концентрации п0 он обладает минимальной длиной, при которой еще возможно его существование и движение через кристалл. [29]
Страницы: 1 2 3