Распределение - концентрация - электрон
Cтраница 3
Используя выражение ( 1 - 4) и применяя статистику Ферми - Дирака, можно найти распределение электронов по энергии в зоне проводимости. Кривая 1 на рис. 3 - 17 дает распределение возможных энергетических состояний для электронов при условии, что дно зоны проводимости принято за начало отсчета. Кривая 2 показывает распределение концентраций электронов и кривая 3 - распределение концентраций свободных состояний, на которые, очевидно, возможен туннельный переход. [31]
 |
Градуировочные графики для определения Zn 334 51 нм ( 1 и Мо 313 25 нм ( 2 в воде. [32] |
Результаты исследований радиального распределения температуры электронов и атомов в струе плазмы, изображенные на рис. 2.13, показывают, что плазма с щелочным элементом однородна по температуре. Значения Тъ и Та постоянны для каждого из параметров по радиусу струи в пределах погрешностей измерения. Результаты измерения пе в различных радиальных зонах струи изображены на рис. 2.13. Минимум на кривой 3 указывает на то, что в струе плазмы без щелочного элемента распределение концентраций электронов ( температуры) неоднородно. Плазма характеризуется областями незначительного изменения пе в центральной части, где проходят процессы ионизации, и существенными изменениями на периферии, где преобладают процессы диссоциации. В связи с этим интенсивность линий микроэлементов / л в центре струи падает, а интенсивность фона / ф максимальна. На периферии же наоборот - интенсивность линии растет, а интенсивность фона уменьшается. Между этими областями концентрация электронов резко падает. [33]
Сравним между собой градиенты концентрации электронов в р - - переходе и - области: в переходе на протяжении ( хп - J - хр) концентрация падает на несколько порядков, а в - области на протяжении гораздо большей длины Ln она падает только в е раз. Очевидно, что диффузионный ток электронов должен был бы в огромной степени возрастать при переходе от - области к р - - переходу, откуда следует, что в переходе существует почти ему равный и противоположно направленный полевой ток. В р - - переходе в отсутствие внешнего напряжения диффузионный и полевой токи полностью компенсируются, в то время как в р - - переходе, находящемся под напряжением, они почти компенсируют друг друга. Следовательно, если в первом случае распределение концентрации электронов в точности следует закону Больцмана, то во втором случае больцмановское распределение соблюдается приближенно, но с большой точностью. [34]
Это требует корректировки теории, рассмотренной в предыдущих пунктах. Уравнение непрерывности для электронов в базе, являющееся основой расчета токов транзистора, при промежуточных и высоких уровнях инжекции становится нелинейным и может быть решено только численными методами, что затрудняет построение теории транзистора. Однако существует подход, позволяющий обойти возникающие затруднения и разработать приближенную аналитическую теорию. Этот подход основан на том факте, что в реальных узкобазовых транзисторах влияние рекомбинации на распределение концентрации электронов п ( х) в базе мало. Такое утверждение справедливо не только при низком, но и практически при любом уровне инжекции электронов в базе. Это позволяет на первом этапе расчетов определить зависимость п ( х) путем решения более простого уравнения, чем уравнение непрерывности, а именно решить уравнение для тока электронов (1.35) относительно п ( х), полагая / э - / п - const. С помощью распределения п ( х) на втором этапе нетрудно рассчитать рекомбинацион-ный ток электронов и далее все статические параметры и характеристики транзистора. [35]
Страницы: 1 2 3