Распределение - носитель - заряд
Cтраница 3
В частности, когда на заключительной стадии прекращается протекание тока через структуру и на ней возрастает напряжение, то в кристалле происходит локальное выделение теплоты. Характер изменения тока и напряжения на структуре определяется распределением носителей заряда в базах, их концентрацией и скоростью исчезновения. А с характером изменения ( во времени и в пространстве) тока и напряжения на структуре связана выделяющаяся в кристалле тепловая энергия и ее пространственное распределение. Это, в конечном счете, как будет показано ниже, в значительной степени определяет предельное значение переключаемой структурой мощности. [31]
На рис. 1.15 изображено распределение неравновесных носителей в отсутствие и при наличии электрического поля. Поскольку при решении задачи предполагалось выполнение электронейтральности, изображенное на рис. 1.15 распределение носителей заряда справедливо одновременно для неравновесных электронов и дырок. [32]
Простоты ради рассмотрим полупроводник, легированный мелкими ( неглубокими) примесями, которые определяют равновесные концентрации о и ро, где индексом 0 характеризуется состояние теплового равновесия. Пусть концентрация примесей с глубокими уровнями Nt ( дефекты, центры рекомбинации) мала по сравнению с концентрацией мелких примесей; в этом случае глубокие примеси мало сказываются на распределении носителей заряда. [33]
Следует отметить, что в реальных аморфных полупроводниках не наблюдается монотонного уменьшения плотности локализованных состояний по мере удаления от порогов подвижности, а, как показано на рис. 6.1, б, в отдельных диапазонах: энергий существуют отчетливо выраженные пики плотности состояний. Появление этих состояний связано с наличием дефектов, природу которых не всегда удается установить. Положение уровня Ферми в значительной степени зависит от характера распределения носителей заряда в локализованных: состояниях. [34]
В этом случае локальные энергетические уровни расплываются, образуя примесную зону. Этот процесс сопровождается уменьшением энергии ионизации примесных атомов. Такой уровень легирования можно условно назвать средним. Относительно законов распределения носителей заряда по энергиям в примесной зоне и в разрешенных зонах в этом случае a priori ничего сказать нельзя, ибо они зависят от структуры примесной зоны и от относительного числа носителей заряда в разрешенных состояниях. [35]
 |
Фантастрон с катодной связью на пентагриде. а - схема. б - эпюры напряжений. [36] |
УР - вень Ферми ( хим. потенциал электронного газа в расчете на 1 электрон, или энергетич. Ферми для к-рого равна половине при темп - pax, отличных от абс. В случае инжекции или генерации избыточных носителей заряда распределение становится неравновесным, но благодаря тому, что время релаксации носителей по энергии составляющее 10 - 10 - 10 - 12 сек. Это позволяет записать выражение для распределения носителей заряда в отсутствие равновесия п ( Е ] в форме ( 1), с той разницей, что уровень Ферми и. [37]
 |
Фантастрон с катодной связью на пентагриде. а - схема. б - эпюры напряжений. [38] |
Ферми ( хим. потенциал электронного газа в расчете на 1 электрон, или эпергетич. Ферми для к-рого равна половине при темп - pax, отличных от абс. В случае инжекции или генерации избыточных носителей заряда распределение становится неравновесным, но благодаря тому, что время релаксации носителей по энергии, составляющее 10 10 - 10 - 12 сек. Это позволяет записать выражение для распределения носителей заряда в отсутствие равновесия п ( Е) в форме ( 1), с той разницей, что уровень Ферми и, заменяется нок-рой эффективной величиной и, , наз. [39]
Оценка числа носителей заряда в прианодном слое показывает, что оно превышает на 1 - 2 порядка концентрацию А1 - де-фектов. Это означает, что имеет место удержание электронов в прианодном слое на уровнях захвата, характерных для поверхностных дефектов. Глубина такого слоя зависит от величины внешнего электрического поля, и понижение напряжения приводит к перераспределению как электронов в прианодной части, так и щелочных катионов в прикатодной. Следствием этого является обратный ток. Окончательное равновесное состояние распределения носителей заряда устанавливается по завершении окрашивания. В этом случае даже с увеличением температуры сила тока уменьшается и имеет тенденцию слабого падения во времени. В этой стадии перенос заряда протекает главным образом по электронным дефектам в валентной полосе, а его величина определяется относительным положением уровня Ферми. Необходимо также учитывать эффект инжекции электронов с электродов. [40]
Страницы: 1 2 3