Cтраница 1
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между полупроводниками с электропроводностью я-типа при наличии внешнего электрического поля. [1] |
Распределение носителей заряда в п-га - переходе ( рис. 2.13, в) показывает, что в отличие от р-га-перехода в данном случае отсутствует обедненный слой - слой с меньшей концентрацией основных носителей заряда по сравнению с концентрацией носителей заряда в слаболегированной области. [2]
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между полупроводниками с электропроводностью п-типа при наличии внешнего электрического поля. [3] |
Распределение носителей заряда в п-га - переходе ( рис. 2.13, в) показывает, что в отличие от p - n - перехода в данном случае отсутствует обедненный слой - слой с меньшей концентрацией основных носителей заряда по сравнению с концентрацией носителей заряда в слаболегированной области. [4]
Чем отличается распределение носителей заряда по состояниям в разрешенных зонах и на примесных уровнях. Что учитывает фактор вырождения в функции распределения. [5]
Поскольку имеется цилиндрическая симметрия распределения носителей заряда, уравнение непрерывности удобно представить в цилиндрической системе координат. [6]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скоростям и анизотропия времени релаксации и эффективных масс носителей, когда изоэнерге-тические поверхности несферичны. [7]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скорости и анизотропия времени релаксации и эффективной массы носителей, когда изоэнер-гетические поверхности несферичны. [8]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скоростям и анизотропия времени релаксации и эффективных масс носителей, когда изоэнерге-тические поверхности несферичны. [9]
Этот эффект 5 ] обусловлен неравномерностью распределения носителей заряда и избирательностью механизмов рассеяния. Рассмотрим его более подробно в связи с протекающими физическими процессами. [10]
Так как каждой точке характеристики соответствуют определенная концентрация и распределение носителей зарядов внутри четырех полупроводниковых зон, то с каждым коммутационным процессом связано увеличение или уменьшение плотности носителей аарядов. [11]
Для изучения работы рп-пере-хода воспользуемся его энергетической диаграммой и распределением носителей заряда, изображенными на рис. 3.5 и 3.6. На рис. 3.5, а показано состояние термического равновесия рп-пе-рехода. [12]
Как было установлено, л-л - контакт может влиять на распределение носителей заряда в базе, а следовательно, и на характеристики диода. При достаточно больших концентрациях примеси в базе диода пп рп и рассмотренные выше эффекты отклонения концентрации носителей от равновесной незначительны и не оказывают практического влияния на распределение концентрации носителей в базе диода. [13]
Невозможность реализации строго поверхностной генерации носителей заряда и влияние поверхностной рекомбинации на распределение носителей заряда в образце приводят к возникновению значительной систематической погрешности измерения. [14]
При небольшой обратной разности потенциалов диффузионный ток постепенно уменьшается ( в соответствии с распределением носителей заряда по энергиям), а ток, обусловленный движением неосновных носителей, сохраняется. [15]