Распределение - носитель - заряд
Cтраница 2
Свойства полупроводника определяются в большой мере его энергетическими уровнями ( энергетическим спектром); распределением носителей зарядов между разрешенными энергетическими состояниями; количественными и качественными характеристиками носителей. [16]
При увеличении температуры диода уменьшается высота потенциального барьера ( см. § 2.1) и изменяется распределение носителей заряда по энергиям - электроны, например, занимают более высокие энергетические уровни в зоне проводимости. [18]
Эти дефекты могут вести себя как доноры и акцепторы и, следовательно, влиять на распределение носителей заряда в приповерхностном слое. Очевидно, эти локальные энергетические уровни на поверхности и связанный с ними поверхностный заряд изгибают энергетические зоны вблизи поверхности. [19]
Граница между обедненной областью и областью электронейтральности не является резкой вследствие некоторого размытия, обусловленного функцией распределения носителей заряда. Таким образом, пространственное разрешение вольт-фарадных методов принципиально ограничено значением дебаевской длины экранирования в данном полупроводниковом материале. [20]
 |
Распределение заряда в базе транзистора. [21] |
Возникновение Дополнительного электрического rid - ля в области базы может быть объяснено с помощью рис. 4 - 9, где показано распределение носителей заряда в транзисторе со ступенчатыми переходами и равномерным распределением примеси в базе. [22]
Адсорбция остаточных газов полупроводниками, с одной стороны, может вызвать необратимые изменения поверхности полупроводника, а с другой стороны, изменить распределение носителей заряда в твердом теле. Например, кислород, адсорбируясь на поверхности германия, диссоцирует и в зависимости от давления газа и свойств материала проявляет свое воздействие либо как акцептор, либо как донор. [23]
 |
Зависимость дрейфовой скорости и подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля. [24] |
В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда на длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют иногда разогревом носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному. [25]
Однако зависимость подвижности носителей от температуры в полупроводниках совершенно другая, чем в металлах. Это обусловлено зависимостью распределения носителей заряда в полупроводниках от температуры уже при их небольших энергиях, в то время как в металлах распределение энергии электронов от температуры из-за большей их средней энергии начинает зависеть от температуры лишь при высоких энергиях. В результате этого полная электропроводимость в зависимости от температуры имеет минимум при некоторой температуре. Детали этой зависимости довольно сложны и здесь не приводятся. [26]
В некоторой области перехода с шириной б одновременно велико количество электронов проводимости в группе уровней Д пр и дырок в группе уровней Д в. Поэтому в области 8 распределение носителей зарядов подобно распределению на рис. 12.24 и в ней можно получить инверсную населенность. [27]
Интерпретация результатов измерений концентрации й - подвижности носителей заряда в ионно-легированных слоях наталкивается на значительные трудности. Это связано прежде псего с тем, что распределение носителей заряда в таких слоях неоднородно ввиду гауссовского профиля легирования. [28]
 |
Модель эпитаксиаль-ной структурь п-п - типа с барьером Шотки. [29] |
Индекс 1 относится к параметрам эпитаксиального слоя, индекс 2 - к параметрам подложки. Условия на свсбодной поверхности подложки не влияют на распределение носителей заряда в эпитаксиальном слое, если толщина подложки достаточно велика. [30]
Страницы: 1 2 3