Кривое распределение - интенсивность
Cтраница 2
На рис. 90 а показаны кривые распределения интенсивности сплошного спектра по длинам волн при различных напряжениях на трубке. [16]
Рассмотрение рентгенограмм показывает, что кривые распределения интенсивности интерференционных линий, полученные при рентгеноструктурном анализе нетермообработанных покрытий с различным содержанием фосфора, заметно отличаются друг от друга: в то время как интерференционные линии покрытий с 9 % фосфора весьма сильно размыты, линии покрытий с 5 % фосфора сравнительно четки ( фиг. Такая дифракционная картина может наблюдаться либо в тех случаях, когда структура весьма мелкодисперсна, либо когда кристаллические решетки сильно деформированы. [17]
 |
Кривые интенсивности молекулярного - рассеяния электронов кремнеземом. [18] |
Нами были рассчитаны методом проб и ошибок кривые распределения интенсивности молекулярного рассеяния электронов для следующих предполагаемых моделей: непрерывная беспорядочная пространственная сетка, построенная из тетраэдров 8Ю4, и беспорядочно расположенные кристаллиты кристобалита размером 2x2x1 и 3x3x2 элементарных ячеек. [19]
Наиболее точный метод получения информации о структурных изменениях по рентгеновской картине - метод гармонического анализа формы линии ( разложение в ряд Фурье экспериментальной и эталонной кривых распределения интенсивности), неоднократно описанный в литературе. [20]
Для определения интенсивности, формы и ширины линии следует записывать кривые так, чтобы интенсивность максимума не выходила за пределы 300 - 350 имп / сек. В противном случае кривые распределения интенсивности будут искажены из-за просчетов в счетчике в связи с большой величиной мертвого времени. [21]
Как видно из формулы ( 75), форма кривой распределения интенсивности существенным образом зависит от коэффициента отражения. На рис. 79 представлены кривые распределения интенсивности для ряда значений коэффициента отражения г. Из него видно, что с увеличением коэффициента отражения увеличивается резкость колец, а следовательно и разрешающая способность. Последняя может быть вычислена, если, воспользовавшись критерием Рэлея, найти на кривых рис. 79 такие точки, в которых интенсивность равна 0 4 от максимальной. [22]
При отсутствии рассеянного излучения исследуемый образец является полностью анизотропным и на диаграмме четко видны минимумы, соответствующие главным направлениям анизотропии. На рис. 3.5 приведены кривые распределения интенсивности прошедших через образец волн в зависимости от угла поворота 0 для стекловолокнистых материалов на основе рубленого стекловолокна. Как видно из диаграммы, при увеличении степени ориентации более четко выявляются минимумы и максимумы распределения. Несимметричность лепестков на диаграмме объясняется возникновением дифракционных явлений на отдельных волокнах. [23]
Это дает возможность регистрировать кривые распределения интенсивности рассеянного излучения по периметру колонны как при перемещении, так и при остановке прибора. [24]
 |
Обобщенная схема интерпретации гам-ма-гамма-цементограмм. [25] |
В последние годы применен более эффективный гамма-дефектомер с коллимированным экраном, вращающимся вокруг прие мника с повышенной чувствительностью. Это дает возможность регистрировать кривые распределения интенсивности рассеянного излучения по периметру колонны как при перемещении, так и при остановке прибора. [26]
В таблицах приведены спектры флуоресценции веществ в растворе. Даны перерисованные из оригинальных работ микрофотограммы или кривые распределения интенсивностей. Пунктирные кривые не являются точными и передают условно характер флуоресценции - положение максимумов и границы спектров. [27]
Еще более тщательные измерения Фриша и Штерна3 обнаружили, пожалуй, наиболее замечательную особенность взаимодействия падающих молекул с твердой поверхностью, а именно: при определенном соотношении между нормальной составляющей количества движения падающих молекул и тангенциальной составляющей в плоскости одной из диагоналей, отражения и диффракции не происходит, и молекулы улавливаются силовым полем притяжения поверхности. Это проявляется в виде двух седел на нормальных максвелловских кривых распределения интенсивности диффрагированных лучей и вполне согласуется с недавними расчетами Леннарда-Джонса и Девоншира 4, рассмотревших взаимодействие периодического поля поверхности с падающими на нее атомами гелия. [28]
 |
Микроструктура края реакционной зоны таблетки диффузионной пары ZnO-Fe O, спеченной при 1263 С в течение 117 ч. / - FejO3. 2 - ZtiFejOf. [29] |
Полезную информацию о механизме образования ферритов дает электронно-зондовый микрорентгеноспектральный анализ, позволяющий при сканировании электронного пучка размером 1 - 2 мкм в зоне реакции определить распределение концентраций диффундирующих элементов вдоль направления их перемещения. В качестве примера на рис. 2.9 и 2.10 приведены кривые распределения интенсивностей характеристического рентгеновского излучения Ni, Fe, Zn, отражающие концентрационное распределение этих элементов по толщине реакционной зоны контактирующих таблеток Fe2O3, NiO и ( Ni, Zn) O. Из этих кривых видно, что на фазовых границах ( Ni, Zn, Fe) О - феррит и ( Ni, Fe) О - феррит последний близок к стехиомет-рическому, а на границе с Fe2O3 содержит избыток железа в виде растворенного магнетита. При отжиге диффузионного слоя на воздухе при температурах ниже 900 С происходит окисление Fe2 до Fe3, и на фазовой границе с Fe2O3 выделяется a - Fe203 в виде иглоподобных кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4