Распространение - включенное состояние
Cтраница 2
На рис. 9.13. представлена типичная зависимость скорости распространения включенного состояния от плотности тока во включенной области. [16]
Экспериментально также получено [28], что скорость распространения включенного состояния увеличивается при уменьшении ширины - базы и умень-олении удельного сопротивления исходного кремния. [18]
У в а р о в А. И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-и-р-га - структуры. [19]
В реальном приборе, скорее всего, процесс распространения включенного состояния формируется обоими этими механизмами. [20]
 |
Симметричный тиристор, а - условное обозначение. б - схема полупроводниковой структуры. в - вольт-амперная характеристика. [21] |
Потери включения при работе тиристора на высокой частоте из-за конечной скорости распространения включенного состояния выделяются по площади р-п-р-п - струк-туры неоднородно, что ведет к неоднородному ее нагреву и соответственно к снижению допустимой нагрузки тиристора. [22]
 |
Образцы р-п-р-п структур для измерения скорости распространения включенного состояния методом островков. [23] |
Измеряя зондовым методом время включения различных участков структуры, можно определить зависимость скорости распространения включенного состояния от времени или расстояния от границы управляющего электрода. [24]
Руул [103] показал, что такая зависимость может формироваться за счет полевого механизма распространения включенного состояния, суть которого состоит в следующем. [25]
Отсюда ясно, что при низких уровнях инжекции в базовых слоях тиристора преобладает дрейфовый механизм распространения включенного состояния. При высоких же уровнях инжекции в базовых слоях вклады обоих механизмов в процесс распространения включенного состояния являются соизмеримыми. [26]
Зная расстояние между соседними островками и разность времен включения тиристора вблизи этих островков, можно рассчитать скорость распространения включенного состояния. [27]
Вследствие этого составные транзисторы тиристора во включенной области всегда работают в менее насыщенном режиме, чем при отсутствии распространения включенного состояния. Падение напряжения на тиристоре при этом несколько выше, чем при той же плотности тока в случае, когда распространение включенного состояния отсутствует. [28]
Косвенный метод является очень простым и удобным для практического применения, так как может быть использован для измерения скорости распространения включенного состояния в готовых тиристорах, собранных в корпуса. Однако этот метод весьма приближенный. [29]
Дальнейшее увеличение тока до h и уменьшение напряжения на р-л-р-л - структуре до У0ст связано с уменьшением сопротивления баз инжектированными носителями и распространением включенного состояния на всю площадь р-л-р-я - структуры. [30]
Страницы: 1 2 3 4