Рассасывание

Cтраница 2

После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении и, когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фт, происходит спад тока коллектора. Начинается стадия формирования среза выходного импульса. [16]

Для рассасывания помутнений стекловидного тела и кровоизлияний полезны сеансы калий-йод-ионофореза ( 5 - 10 % раствора), приемы внутрь рутина, цитрина, вдувание кислорода под конъюнктиву. Показано насыщение организма витаминами А, В2 В. [17]

Для рассасывания свежих помутнений роговой оболочки применяют: капли дионина в возрастающей концентрации ( 1 - 6 %), 1 % желтую ртутную мазь, физиотерапевтическое лечение, тканевую терапию. [18]

Схема диффузионного транзистора типа р-п - р с дополнительным переходом у коллектора. [19]

Время рассасывания при этом резко уменьшается. [20]

Этап рассасывания характеризуется тем, что несмотря на изменение тока базы ток коллектора транзистора Т t остается неизменным. [21]

Время рассасывания tpVT определяет уровень динамических потерь транзисторов РЯУТ, которые могут составлять для современных транзисторов до 10 % от выходной мощности конвертора. [22]

Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При больших степенях насыщения ( или, больших запирающих токах) и при существенных отклонениях режима использования от указанного в справочнике время рассасывания может значительно отличаться от его номинальной величины. [23]

Время рассасывания оказалось ничтожно малым даже при больших прямых токах базы, дающих высокую степень насыщения. Время спада в активной области зависит от величины прямого тока базы непосредственно перед выключением. [24]

Время рассасывания tv определяется как интервал времени между моментом подачи на базу насыщенного транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня 0 1 Ек. Рассасывание неравновесных носителей производится в основном за счет поверхностной и объемной рекомбинации. Ток базы при этом может значительно превышать величину тока базы в режиме отсечки. [25]

Зависимость физических параметров транзистора от напряжения t / KB ( а и тока эмиттера ( б. [26]

Время рассасывания tfac - интервал времени от момента переключения полярности тока / в до того момента, при котором напряжение на коллекторе достигает заданного уровня. [27]

Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и измеряется при определенной величине коллекторного и базового тока. [28]

Время рассасывания с учетом пассивного заряда рассчитывается по прежним формулам, но с использованием постоянной времени тн, свойственной пассивной области базы. [29]

Время рассасывания при запирающем импульсе / вх можно определить по любой из известных формул. [30]

Страницы: 1 2 3 4