Рассасывание

Cтраница 3

Время рассасывания зависит от степени насыщения транзистора и амплитуды запускающего тока. [31]

Время рассасывания уменьшается с ростом ( по абсолютному значению) тока / п, а также при уменьшении времени жизни. При / п0 формула для Qn ( t) описывает процесс накопления зарядов. Если при / 0 Qn ( 0) 0, то время накопления Л, определяемое из условия Qn ( / H) 0 9X ХС. [32]

Время рассасывания, вычисленное из уравнения QSH ( / pac) О, составляет / рас я 12 не. [33]

Время рассасывания, определяемое из уравнения Q B ftpae) - О, составляет tfpao 0 4 мкс. [34]

Зависимость физических параметров транзистора от напряжения t / KB ( а и тока эмиттера ( б. [35]

Время рассасывания tfac - интервал времени от момента переключения полярности тока / в до того момента, при котором напряжение на коллекторе достигает заданного уровня. [36]

Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора перед его выключением. Минимальное время выключения получается при граничном режиме насыщения. Для ускорения процесса рассасывания в базу пропускают обратный ток, который зависит от обратного напряжения на базе. Однако прикладывать к базе большое обратное напряжение нельзя, так как может произойти пробой перехода база-эмиттер. [37]

Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней цепи, через которую происходит рассасывание. [38]

Время рассасывания определяется как интервал времени тр, между моментом окончания насыщающего импульса тока базы и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет уровня 0 1 Ек. [39]

Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и изме - ряется при определенной величине коллекг торного и базового тока. Глубина насыщения определяется коэффициентом нас. [40]

Время рассасывания с учетом пассивного заряда рассчитывается по прежним формулам, но с использованием постоянной времени тн, свойственной пассивной области базы. [42]

Процесс рассасывания имеет ту специфику, что поступление запирающего импульса A. ДЯб - Легко убедиться, что запирающий сигнал А. Поэтому при тех же значениях / д2 и Q ( 0) рассасывание в ключе-звезде происходит быстрее, чем в ключе ОЭ. [43]

Время рассасывания при запирающем импульсе / вх можно определить по любой из известных формул. [44]

Время рассасывания зависит от коэффициента Л21Э и величин токов открытого и закрытого транзистора. По определению ток коллектора достигает насыщения, когда напряжение на коллекторе упадет ниже напряжения на базе и, следовательно, коллекторный переход окажется смещенным в прямом направлении. В этом случае коллектор инжектирует носители заряда в область базы. Коллекторный ток начинает уменьшаться, только когда исчезнут накопленные в базе носители заряда. [45]

Страницы: 1 2 3 4