Рассасывание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
В какой еще стране спирт хранится в бронированных сейфах, а "ядерная кнопка" - в пластмассовом чемоданчике. Законы Мерфи (еще...)

Рассасывание

Cтраница 4


Время рассасывания может быть определено либо на основе решения уравнения заряда для избыточных дырок в базе диода Д, либо на основе решения уравнения диффузии.  [46]

Длительность рассасывания tp равна времени, в течение которого избыточный заряд уменьшается от стационарного значения до нуля.  [47]

Концепция рассасывания энергии по всей длине молекулы наталкивается на очень серьезные трудности. Нет смысла говорить о гипотезе рассасывания энергии в рамках одной молекулы, когда число степеней свободы таково, что на каждую колебательную степень свободы приходится энергии меньше, чем энергия колебательного уровня. Такое рассасывание не может идти без участия соседних молекул.  [48]

Для быстрого рассасывания емкость конденсатора должна быть значительной, а накопленный ею заряд должен быть не меньше, чем избыточный заряд дырок в базе транзистора.  [49]

Явление рассасывания яиц подчеркивает целесообразность паразитизма, и такое сохранение материала коррелируется, кроме того, с высокой поисковой способностью. Виды с долго живущими самками, у которых одинаково легко происходит переход от циклического к линейному пути образования яиц, обычно наиболее эффективны в биологической борьбе.  [50]

Для быстрого рассасывания емкость конденсатора должна быть значительной и накопленный ею заряд должен быть не меньше, чем избыточный заряд дырок в базе транзистора.  [51]

Время рассасывания петехий, образовавшихся у крыс, подвергавшихся воздействию перечисленными выше ядами, увеличивалось до 18 - 20 часов.  [52]

Стадия рассасывания избыточного заряда начинается с момента подачи на вход запирающего сигнала. Изменения коллекторного тока отсутствуют. Фактически рассасывание проявляется в том, что начало изменений коллекторного тока запаздывает относительно момента подачи запирающего сигнала на вр. Процесс рассасывания может быть описан экспоненциальным законом с постоянной времени рассасывания.  [53]

Этап рассасывания неосновных носителей протекает так же, как и в предыдущей схеме, с раздельным запуском. После рассасывания следует этап запирания транзистора 7; ток iKi уменьшается до нуля.  [54]



Страницы:      1    2    3    4