Рассеяние - электрон
Cтраница 1
Рассеяние электронов определяется электро-статич. Потенциал кристалла всюду положителен и является непрерывной периодич. [1]
Рассеяние электрона на фононах в большой степени определяется законами сохранения энергии и импульса ( кинематич. Поэтому картина рассеяния различна для акустич. Кинематика позволяет установить, какие фононы 274 дают осн. [2]
Рассеяние электронов при их перемещении объясняет наличие температурной зависимости подвижности носителей тока. [3]
Рассеяние электронов может происходить также на примесях или дефектах решетки. [4]
Рассеяние электронов ведет к распространению электронного излучения по всем направлениям. [5]
Рассеяние электронов на структурных дефектах ( в основном на одиночных вакансиях и образованных ими кластерах внутри зерен, а также на границах зерен) оказывает наиболее существенное влияние на удельное сопротивление пленок, если их толщина сравнима или превышает среднюю длину / свободного пробега электронов. [6]
 |
Остаточное сопротивление Дрг, мкОм - см, на 1 % примеси. [7] |
Рассеяние электронов на нарушениях симметрии упаковки подобного типа может значительно превышать рассеяние на тепловых колебаниях, следствием чего будет резкое снижение ТКС. Примером подобного типа может служить система Си-Ni, в которой при 40 % Ni ( для константана) ТКС достигает минимума и близок к нулю по абсолютной величине. [8]
Рассеяние электронов, разрушающее когерентность взаимодействия с полем, приводит также к уширению электронных уровней. Ширина у соответствует энергетическому интервалу электронов, участвующих в первую очередь во взаимодействии с ЭМП. Ширина у играет принципиально важную роль в теории. Этот случай принято называть однородным уширением [5] по терминологии, принятой в теории газовых лазеров. [9]
Рассеяние электронов, дифференциальное сечение которого описывается формулой Резерфорда, происходит преимущественно вперед, поэтому для решения уравнения (3.179) можно использовать приближение малы. [10]
Рассеяние электронов ядрами элементов пропорционально Z2 / U, где U - ускоряющее напряжение. Таким образом, изображение, снятое при использовании обратнорассеянных электронов, дает информацию о геометрическом рельефе и среднем атомном номере исследуемой поверхности. [11]
Рассеяние электронов атомными электронами требует специального теоретического исследования, основанного на квантово-механических принципах взаимодействия между двумя тождественными частицами. [12]
 |
Зависимость подвижности от температуры для той же, что и на 1, серии легированных мышьяком образцов. [13] |
Рассеяние электронов или дырок на положительных или отрицательных ионах примеси в решетке полупроводника носит иной характер. В этом случае электрон взаимодействует с кулоновским электрическим полем, которое создает вокруг себя ион. Рассеяние с таким механизмом становится менее эффективным с увеличением средней скорости носителей, а следовательно с увеличением температуры. [14]
Рассеяние электронов ведет к распространению электронного излучения по всем направлениям. [15]
Страницы: 1 2 3 4