Рассеяние - электрон
Cтраница 2
Рассеяние электронов подразделяется подобно рассеянию рентгеновских лучей на два вида: во-первых, наблюдается когерентное, или упругое рассеяние, которое является для нас наиболее важным; во-вторых, наблюдается некогерентное, или неупругое рассеяние, обусловленное изменением длины волны рассеянного излучения в результате эффекта Комптона. [16]
Рассеяние электронов имеет место в результате преломления электронной волны, когда она проходит внутри атома через зоны с изменяющимся потенциалом. Потенциальное поле складывается из положительного заряда ядер и отрицательного заряда электронного облака. [17]
Рассеяние электронов атомами может иметь упругий и неупругий характер. Для радиационной химии имеет значение только неупругое рассеяние, приводящее к изменению состояния атомов и молекул. [18]
Рассеяние электронов атомами может иметь упругий и неупругий характер. Для радиационной химии имеет значение только еупругое рассеяние, приводящее к изменению состояния атомов и молекул. [19]
Рассеяние электронов атомами может иметь упругий и неупругий характер. Для радиационной химии имеет значение только неупругое рассеяние, приводящее к изменению состояния атомов и молекул. [20]
Рассеяние электронов на нарушениях симметрии упаковки подобного типа может здачительно превышать рассеяние на тепловых колебаниях решетки, следствием чего будет резкое снижение ТКС. Поскольку одновременно со снижением ТКС происходит существенный рост общего удельного сопротивления, один из путей получения резистивных материалов для тонкопленочных резисторов состоит в создании сплавов с высоким удельным сопротивлением. [21]
Рассеяние электронов, колебаниями решетки сводится к двум основным процессам - испусканию и поглощению электроном фо-нона. [22]
Рассеяние электронов и дырок может происходить: 1) на ионах примеси; 2) на атомах примеси; 3) на вакансиях и точечных дефектах; 4) на дислокациях; 5) на границах кристалла, плоскостях спайности, границах зерен; 6) на электронах и дырках; 7) на тепловых колебаниях решетки. [23]
Рассеяние электронов и соответствующее ему сопротивление, связанное с химическими примесями, конечно, всегда обусловлено нарушениями регулярности ионной решетки, но сами эти нарушения могут возникнуть различными путями. [24]
Рассеяние электронов в кристаллическом, жидком или газообразном теле обусловлено их взаимодействиями с заряженными частицами - ядрами и электронами. Но потенциал поля ядра, заряд которого сосредоточен в малом объеме, в любой точке пространства намного превышает потенциал диффузной электронной оболочки. Отсюда следует, что электронная оболочка атома лишь частично экранирует поле ядра и оказывает относительно малое влияние на рассеяние электронного пучка. [25]
 |
Зависимость удельного сопротивления металла от температуры. [26] |
Рассеяние электронов прямо пропорционально поперечному сечению того объема, который занят колеблющимся атомом. Это поперечное сечение, в свою очередь, можно считать прямо пропорциональным квадрату амплитуды колебаний атома, а квадрат амплитуды колебаний, определяющий энергию атомных колебаний, растет с ростом температуры по линейному закону. [27]
Рассеяние электронов на кристаллической решетке рассматривается как классическое упругое соударение электронов с атомами и ионами. Очевидно, поскольку масса электрона много меньше массы атома, доля кинетической энергии, теряемая в одном соударении, должна быть невелика. [28]
Рассеяние электронов может происходить также на примесях или дефектах решетки. [29]
Рассеяние электронов зонда на атомах объекта может приводить к дифракции первичного пучка с образованием максимумов рассеяния под дискретными углами к падающему пучку. Дифракционные явления относятся к упругому ( когерентному) рассеянию. При тонких слоях дифракция осуществляется в результате прохождения пучка через пленку, при массивных объектах дифракционные пучки исходят от поверхности. Различают дифракцию медленных и быстрых электронов с энергиями порядка десятков - сотен электрон-вольт и десятков килоэлектронвольт соответственно. При дифракции происходит отражение электронов полями атомов, которые являются суперпозицией кулоновского поля ядер и экранирующего поля электронного облака. В кинематическом описании дифракции считают, что падающий электрон испытывает только одно отражение, взаимодействие между падающей и рассеянной волной отсутствует. При динамическом, подходе учитываются многократные взаимодействия отраженных электронных волн в кристалле. Динамические эффекты возрастают с увеличением толщины объекта. [30]
Страницы: 1 2 3 4