Cтраница 4
При рассеянии электронов на атомах, как правило, возникающие квазистационарные уровни лежат достаточно высоко в непрерывном спектре. При / 0 атом окружен центробежным потенциальным барьером ( см. гл. Падающий электрон проникает через него, образует квазисвязанное состояние ( время жизни которого значительно превышает время а / и0 пролета области, занимаемой атомом), затем, лросачиваясь обратно, уходит на бесконечность - квазистационарная система распадается. [46]
При рассеянии электрона на тяжелой частице приведенная масса лишь незначительно отличается от геассы электрона, а энергия относительно движения практически равна энергии электрона. [47]
При обменном рассеянии электрона на атоме налетающий электрон меняется местами с валентным электроном. Тогда, если спины налетающего и валентного электронов направлены противоположным образом, то полный спин атома может измениться на единицу. [48]
Рассмотрим теперь рассеяние электронов от образцов, состоящих не из отдельных единичных кристаллов, а имеющих поликристаллическое строение. Если расположение кристаллитов в образце не является полностью беспорядочным, то обычно говорят, что данный образец обладает текстурой. Наиболее часто в полимерах наблюдается существование волокнистых текстур, когда определенная кристаллографическая ось решетки [ uvw ] имеет одинаковое направление во всех кристаллах. Это особое направление, называемое осью волокна, не обязательно должно совпадать с направлением полимерных цепей. Обычно волокнистая текстура не бывает совершенной и фактическая ось может несколько отклоняться от основного предпочтительного направления. [49]
Образец р-типа в однородном магнитном поле /. 0. [50] |
Дебая, рассеяние электрона или дырки на акустическом фононе можно рассматривать аналогично взаимодействию электрона или дырки с нейтральной частицей, масса которой намного больше эффективной массы электрона или дырхи. [51]
Образец р-типа в однородном магнитном поле Ва. [52] |
Дебая, рассеяние электрона или дырки на акустическом фононе можно рассматривать аналогично взаимодействию электрона или дырки с нейтральной частицей, масса которой намного больше эффективной массы электрона или дырки. [53]
Условия для рассеяния электронов в металлах и полупроводниках несколько различны. [54]