Рассеяние - электрон - проводимость
Cтраница 1
Рассеяние электронов проводимости на колебаниях решетки также сильно упрощено. Теория рассеяния развита в предположении, что статическое взаимодействие электрон-ион точно определено и поэтому общее рассеяние зависит только от смещения иона. В согласии с этим далее предполагается, что взаимодействие имеет место лишь вблизи центра иона. В остальной части атомного объема электроны проводимости рассматриваются как совершенно свободные. По существу это соответствует почти полному экранированию заряда иона другими электронами проводимости металла. [1]
Рассеяние электронов проводимости на колебаниях решетки также сильно упрощено. Теория рассеяния развита в предположении, что статическое взаимодействие электрон - ион точно определено и поэтому общее рассеяние зависит только от смещения иона. В согласии с этим далее предполагается, что взаимодействие имеет место лишь вблизи центра иона. В остальной части атомного объема электроны проводимости рассматриваются как совершенно свободные. По существу это соответствует почти полному экранированию заряда иона другими электронами проводимости металла. [2]
Характерной особенностью рассеяния электронов проводимости на атомах примесей является его упругость. [3]
Распределение центров рассеяния электронов проводимости в жидком металле однородно, что подтверждается данными дифракции рентгеновских лучей и нейтронов. [4]
Характерной особенностью рассеяния электронов проводимости на атомах примесей является его упругость. [5]
Вычисляя амплитуду обменного рассеяния электрона проводимости на одном локализованном спинево втором порядке теории возмущений по константе /, Кондо нашел, что она логарифмически расходится, когда температура Т стремится к абсолютному нулю. [6]
Феноменологически описать процессы рассеяния электронов проводимости можно путем введения так называемого времени релаксации. [7]
С другой стороны, рассеяние электронов проводимости на планарных дефектах ( внешняя поверхность, внутренние поверхности раздела, дефекты упаковки и др.) приводит к формированию в их окрестности полей упругих напряжений. Причиной их возникновения является пондеромоторное дейтвие электромагнитного поля на порождающий его ток. [8]
Этот второй вклад в рассеяние электронов проводимости был назван плазменным рассеянием. Он имеет большое значение при малых величинах К. Даже тогда, когда плазменное рассеяние учтено, совпадение между наблюдаемыми и вычисленными удельными сопротивлениями для большинства металлов плохое. Разделение сопротивления на две части позволяет, однако, объяснить температурную зависимость удельного сопротивления и изменение сопротивления после плавления. [9]
 |
Зависимость точности воспроизведения удельного поверхностного сопротивления Ар / р монометаллических систем от удельного поверхностного сопротивления р. [10] |
В частности, существует рассеяние электронов проводимости на поверхности пленки ( эффект Фукса-Зондхеймера), обусловливающее увеличение поверхностного сопротивления при сохранении низкого температурного коэффициента. Эффект проявляется при малых толщинах пленки, подобные пленки легко агломерируются и поэтому имеют ограниченную механическую целостность. [11]
Вероятность опрокидывания спина при рассеянии электрона проводимости на поверхности частицы определяется силой спинор-битальной связи. [12]
Остаточное сопротивление нормальных металлов возникает из-за рассеяния электронов проводимости статическими дефектами. Среди этих статических дефектов можно назвать примеси, дислокации, пластическую деформацию и др. Влияние статических дефектов на остаточное сопротивление хорошо изучено, причем значение остаточного сопротивления очень чувствительно к дефектам. Например, в повседневной практике нередко чистоту и совершенство металлического кристалла характеризуют отношением его сопротивлений при 273 и 4 2 К. Это отношение для достаточно чистых и совершенных кристаллов может достигать значения 103 и больше. [13]
 |
Смещение сферической поверхности Ферми под действием приложенного электрического поля. [14] |
В металлах сопротивление электрическому току обусловлено рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решетки и хаотически расположенных дефектах кристалла - в идеальной решетке сопротивление отсутствует. Феноменологически описать процессы рассеяния электронов проводимости можно путем введения так называемого времени релаксации. [15]
Страницы: 1 2 3 4