Рассеяние - электрон - проводимость
Cтраница 2
 |
Теплопроводность плазмы инертных газов при атмосферном давлении и различной температуре, 1 ( Г2 Вт / ( см - К.| Теплопроводность плазмы воздуха. [16] |
Сопротивление металлов электрическому току связано с процессами рассеяния электронов проводимости. [17]
Образование субмикроскопических зародышей трещин приводит к уменьшению рассеяния электронов проводимости по сравнению со скоп лениями дислокаций до появления трещин. Необходимо также учитывать уход вакансий в субмикроскопические очаги разрушения. Поэтому с развитием процесса зарождения субмикроскопических нарушений сплошности интенсивность снижения электропроводности уменьшается. [18]
Поскольку в аморфных сплавах ионы, являющиеся центрами рассеяния электронов проводимости, расположены крайне неупорядоченно, перенос электронов, обусловливающий в первую очередь электросопротивление и столкновения электронов с ионами, существенно отличается от переноса электронов в кристаллах. В настоящее, время для объяснения температурных зависимостей электросопротивления аморфных сплавов широко используется теория Зай-мана, хорошо работающая применительно к жидким металлам. В разделе 6.4 будет сделана попытка систематизировать экспериментальные результаты по определению электросопротивления аморфных сплавов с позиций оригинальной и модифицированной теории Займана. [19]
Снова подчеркнем, что в выводе этого соотношения использована лишьупругость рассеяния электронов проводимости. [20]
Как было показано ранее, температурный коэффициент теплопроводности является функцией рассеяния электронов проводимости и фононов на примесях, дефектах кристаллической решетки и пр. В связи с этим структурные процессы в сплавах, которые сопровождаются изменением количества, распределения или эффективности рассеивающих центров, должны вызывать не только изменение абсолютной величины теплопроводности, но и ее температурного коэффициента. [21]
Это обстоятельство, как мы увидим ниже, приводит к рассеянию электронов проводимости в ионных кристаллах. [22]
В этом параграфе мы вычислим время релаксации, связанное с рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях в простой одноатомной решетке. [23]
Если в решетке металла находятся ядра различных изотопов, то возникает рассеяние электронов проводимости, вызванное отклонением нулевых колебаний данного изотопа от среднего значения. Этот эффект приводит к конечному остаточному электрическому сопротивлению металлов при абсолютном нуле температуры в условиях, когда сопротивление, обязанное химическим и физическим примесям, отсутствует. Иначе говоря, при очистке металла его остаточное сопротивление должно вначале уменьшаться, а затем стремиться к постоянному пределу. Интересующее нас рассеяние появляется в результате комбинированного действия следующих членов в гамильтониане, которые мы будем рассматривать как возмущение. [24]
Увеличение температуры, не меняя существенно п, уменьшает ц вследствие рассеяния электронов проводимости решеткой; электропроводность с температурой падает. [25]
Снова подчеркнем, что в выводе этого соотношения использована лишь упругость рассеяния электронов проводимости. Проследив за выводом, легко также заметить, что предположение кубической симметрии лишь упрощало запись формул. В общем случае произвольной симметрии кристалла такая же связь (78.13) имеет место между тензорами уса и аар. [26]
Увеличение температуры, не меняя существенно п, уменьшает ( д, вследствие рассеяния электронов проводимости решеткой; электропроводность с температурой падает. [27]
Этот рост обусловлен влиянием упругих искажений решетки, дислокаций и вакансий, усиливающих рассеяние электронов проводимости. Если наклепывать однофазный раствор, в котором предварительно создано К-состоя-ние ( атомные сегрегации), то результат окажется обратным. [28]
Особенность зависимости a [ ooi ] ( Т) в окрестности точки Нееля ( см. рис. 3) связана скорее всего с рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях ближнего порядка. Подобная аномалия термоЭДС была рассмотрена в работе [9], авторы которой учли рассеяние электронов проводимости на спиновых яеоднородностях с целью определения температурной зависимости термоЭДС ферромагнетика вблизи точкп Кюри. [29]
Как было установлено, скорость спин-решеточной релаксации I Ti в нулевом или низком магнитном поле характеризуется суммой вкладов от обычного опрокидывания спинов при рассеянии электронов проводимости в решетке кристалла ( механизм Коррин-ги) и от дополнительного опрокидывания спинов при столкновении электронов с поверхностью. Для наивысшего использованного поля ( 1200 Э), когда зеемановская энергия преобладала в больших частицах или играла важную роль в меньших частицах, измеренная величина i / T1 у всех образцов была в хорошем согласии с теорией Соне. [30]
Страницы: 1 2 3 4