Рассеяние - электрон - проводимость
Cтраница 3
У металлов и полуметаллов, для которых проводящее состояние является основным ( а не возбужденным, как у диэлектриков и полупроводников), зависимость а ( Т) объясняется в основном рассеянием электронов проводимости на фононах и статических дефектах. [31]
В металлах сопротивление электрическому току обусловлено рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решетки и хаотически расположенных дефектах кристалла - в идеальной решетке сопротивление отсутствует. Феноменологически описать процессы рассеяния электронов проводимости можно путем введения так называемого времени релаксации. [32]
Их действие основано на зависимости сопротивления чистых металлов от тсмп-ры. В металлах она обусловлена рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решетки и в осн. При гемп-рах ниже 20 К, где сказывается рассеяние электронов на дефектах структуры, и при высоких темп - pax, KOI да возникают дополнит, вакансии, зависимость сопротивления от темп-ры перестает быть линейной. [33]
Как известно, причина существования электрического сопро-вления металлов - рассеяние электронов проводимости. При проте-нии электрического тока электроны проводимости рассеиваются по-зному в зависимости от ориентации их спина по отношению к на - 1гниченности слоя. [34]
В результате анализа литературных данных выявлено, что общую оценку дефектности кристаллической структуры можно сделать по при росту электросопротивления. Введение в кристаллическую решетку дефектов любого типа - увеличивает рассеяние электронов проводимости. В пределах малой атомной доли дефектов, встречающихся в реальных метилах, можно считать, что изменение электросопротивления пропорционально концентрации дефектов. [35]
 |
Серия микрофотографий и рентгенограмм, снятых с образца стали ОХ18Н10Ш в процессе испытания на малоцикловую усталость в установке ИМАШ-22-71. [36] |
Измерение изменения электросопротивления стали 018Н10Ш в процессе малоциклового нагружения при 650 С ( рис. 2, а) показало, что эта характеристика вначале возрастает, а затем снижается до величины, меньшей, чем электросопротивление закаленной стали. Ход изменения электросопротивления обусловливается влиянием двух факторов: возникновением выделений, вызывающих рассеяние электронов проводимости ( повышение электросопротивления), и обеднением пересыщенного твердого раствора легирующими элементами, определяющими снижение электросопротивления. При дальнейшем увеличении размеров выделений электросопротивление начинает падать, как вследствие уменьшения рассеяния электронов на выделениях, так и за счет уменьшения электросопротивления матрицы. В момент накопления деформации и появления микротрещин электросопротивление возрастает, причем в момент появления микротрещины наблюдается резкий скачок электросопротивления. [37]
Особенность зависимости a [ ooi ] ( Т) в окрестности точки Нееля ( см. рис. 3) связана скорее всего с рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях ближнего порядка. Подобная аномалия термоЭДС была рассмотрена в работе [9], авторы которой учли рассеяние электронов проводимости на спиновых яеоднородностях с целью определения температурной зависимости термоЭДС ферромагнетика вблизи точкп Кюри. [38]
Первая ( идеальное электросопротивление) зависит только от температуры и связана с рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях атомов в решетке. Вторая составляющая ( остаточное электросопротивление) не зависит от температуры и связана с дефектами решетки. Для образца, содержащего мало дефектов решетки, измерение низкотемпературного электросопротивления является удобным методом определения степени чистоты. Каждая из примесей вносит вклад в величину электросопротивления пропорционально своей концентрации. [39]
 |
Первые три. зоны электронов. [40] |
Основная идея, на которой базируются расчеты электропроводности, состоит в том, что рассеяние электронов проводимости жидкого металла описывается структурным фактором, аналогичным для рентгеновского излучения или нейтронов. [41]
Это и есть закон Ома. Вычисление времени релаксации т и, следовательно, удельной электропроводности сг требует детального рассмотрения механизмов рассеяния электронов проводимости. [42]
Это и есть закон Ома. Вычисление времени релаксации т и, следовательно, удельной электрической проводимости а требует детального рассмотрения механизмов рассеяния электронов проводимости. [43]
Множители 1 - п или 1 - п учитывают принцип Паули-переход может произойти лишь в незанятые состояния; множители же п или п учитывают, что рассеяние может иметь место лишь из занятого состояния. Как и в ( 70 3), в интеграле ( 78 14) подразумевается, что примесные атомы расположены хаотически, а среднее расстояние между ними много больше амплитуды рассеяния; тогда различные атомы рассеивают независимо. К рассеянию электронов проводимости на примесных атомах борновское приближение, вообще говоря, неприменимо. При этом, однако, подразумевается, что положения, занимаемые атомами примеси в решетке металла, обладают симметрией, допускающей инверсию. [44]
Множители 1 - п или 1 - п1 учитывают принцип Паули - переход может произойти лишь в незанятые состояния; множители же п1 или п учитывают, что рассеяние может иметь место лишь из занятого состояния. Как и в (70.3), в интеграле (78.14) подразумевается, что примесные атомы расположены хаотически, а среднее расстояние между ними много больше амплитуды рассеяния; тогда различные атомы рассеивают независимо. К рассеянию электронов проводимости на примесных атомах бор-новское приближение, вообще говоря, неприменимо. При этом, однако, подразумевается, что положения, занимаемые атомами примеси в решетке металла, обладают симметрией, допускающей инверсию. [45]
Страницы: 1 2 3 4