Упругое рассеяние - электрон
Cтраница 3
При учете неупругих соударений электрона с частицами газа воспользуемся малостью сечения неупругого перехода по сравнению с сечением упругого рассеяния электрона на молекуле, что всегда выполняется с хорошей точностью. Поэтому направление скорости при столкновении электрона с частицами газа меняется сильнее, чем его энергия, и разложение (2.20) для функции распределения электронов по скоростям остается в силе. При этом уравнение (2.236) сохраняет свой вид, а в уравнении ( 2.23 а) величина / ст ( / 0) определяется возбуждением колебательных уровней молекулы и упругим рассеянием электрона на молекуле. [31]
Выясним условие применимости борновского приближения, использованного для нахождения сечения возбуждения вращательных уровней молекулы электронным ударом и сечения упругого рассеяния электрона на молекуле. [32]
Так, наиболее полные сведения о размерах ядер, о распределении в них зарядов получены при измерении сечений упругого рассеяния электронов на ядрах. То же справедливо и в отношении нуклонов. [34]
Так как инфракрасная катастрофа отсутствует, то должны быть изменены выражения для радиационных поправок к различным процессам ( упругому рассеянию электронов ядрами, комп-тон-эффекту, рассеянию электронов электронами), для которых важное значение имело существование инфракрасной ката - строфы. [35]
Как только энергия электронов окажется несколько выше порога ионизации ( 10 - 12 эВ), становится возможным не упругое рассеяние электронов, сопровождающееся ионизацией, вследствие отрыва валентных электронов; налетающие электроны теряют часть своей кинетической энергии, расходуя ее на возбуждение внутренней энергии молекулы. Ионизированная молекула представляет собой положительно заряженный молекулярный ион. Распад происходит с большей вероятностью по наиболее слабым связям. [36]
Отсюда следует, что если длина рассеяния электрона на молекуле - величина отрицательная, то диффузионное или полное сечение упругого рассеяния электрона на молекуле, как и лри рассеянии электрона на атоме, имеет минимум. Однако из-за наличия квадрупольного момента эффект Рамзауэра при рассеянии электрона на молекуле проявляется гораздо менее заметно, чем при рассеянии электрона на атоме. [37]
Непрерывный спектр рентгеновских лучей, или тормозное излучение, есть превращение энергии электрона в кванты излучения в результате не упругого рассеяния электронов кулоновским полем ядер в мишени. В области малых энергий этот процесс представляет только небольшую часть полной тготери энергии, поскольку электрон теряет гораздо больше энергии на ионизацию, чем на излучение. [38]
Эта система с точностью до замены R на R0 совпадает с системой уравнений, рассмотренной в задаче 3.33 и описывающей упругое рассеяние электрона на молекуле. [39]
В этом разделе мы оценим поведение атом ного формфактора при малых и больших углах рассеяния и составим представление о поведении сечения упругого рассеяния электронов атомами при изменении энергии электрона и угла рассеяния. [40]
Процессы а) дают прямую информацию о распределении электрических зарядов и магнитных моментов внутри соответствующих частиц, точно так же, как упругое рассеяние электронов на ядрах дает информацию о распределении зарядов и магнитных моментов в ядрах ( см. гл. [41]
 |
Характеристические потери энергии электронов при прохождении ими толстой алюминиевой фольги ( Л. 16 ]. [42] |
Рисунок показывает, что у сравнительно тонкой фольги наблюдается незначительная потеря электронами своей энергии, что указывает на имеющее место в основном упругое рассеяние электронов ядрами атомов фольги; тогда как для более толстой фольги ( 1 9 мкмй 5 7 мкм) электроны теряют значительную долю своей энергии вследствие неупругого рассеяния валентными электронами. [43]
 |
Зависимость к ( Т меди / и сплавов железа с 3 % N1 ( 2 и 0 1 % С ( 3. Правая шкала для кри-вой 1, левая - для кривых 2иЗ. [44] |
При очень низких температурах электрон-фо-нонное и фонон-фононное рассеяние становится совсем слабым, и над ним окончательно берет верх процесс релаксации, связанный с упругим рассеянием электронов на дефектах. [45]
Страницы: 1 2 3 4