Диффузное рассеяние

Cтраница 1

Диффузное рассеяние на дифракционных картинах может возникнуть из-за неправильного расположения атомов по узлам решетки, при котором сохраняется лишь ближний порядок заполнения этих положений ( гл. Наиболее важный дифракционный эффект, возникающий благодаря наличию малых дефектов в кристаллах, часто связан с полем деформации в окружающей области кристалла. При наличии атомной вакансии, атома внедрения или пары атомов либо атома примеси ( замещения) соседние атомы могут смещаться из своих положений в усредненной решетке на значительные доли межатомных расстояний. Смещения атомов довольно медленно уменьшаются с увеличением расстояния от точечных дефектов, так что наличие дефекта влияет на положение большого числа атомов. В результате дифракционный эффект, связанный со смещениями атомов, может быть значительно сильнее дифракционных эффектов, вызванных самими примесными атомами, атомами внедрения или вакансиями. [1]

Диффузное рассеяние под малыми углами позволяет изучать макромолекулы в растворе. Фазы рассеяния при таком усреднении смешиваются, и поэтому можно построить лишь функцию, аналогичную функции Паттерсона. Эта функция, однако, позволяет охарактеризовать форму и размеры рассеивающего объекта. Ситуация здесь подобна той, с которой мы имеем дело при изучении рассеяния света растворами макромолекул ( см. стр. [2]

Диффузное рассеяние, обязанное дефектам, и изменение интен-сивностей четких брэгговских отражений из-за псевдотемпературных эффектов были описаны в других главах. Здесь же мы рассмотрим только интенсивности брэгговских отражений в связи с кинематическим и динамическим приближениями. [3]

Типичные картины диффузного рассеяния под малыми углами. а - неориентированный полимер. б - вытянутое ориентированное волокно ( ось волокна вертикальна.| Типичные картины дискретного рассеяния под малыми углами. [4]

Диффузное рассеяние могут давать полимеры, находящиеся как в твердом, так и в жидком состоянии. Оно обычно имеет максимальную интенсивность под углом 0, и его интенсивность снижается при увеличении угла вплоть до значений 1 - 2Р; это видно из рис. 114, а. Рассеяние от раствора и расплава полимера в принципе подобно приведенному на рисунке, но обычно имеет гораздо меньшую интенсивность по сравнению с рассеянием от полимера, находящегося в твердом состоянии. [5]

Диффузное рассеяние иод малыми углами от пленок полиуретана, приготовленного из пиперазнна и этилен-бмс-хлорформиата. [6]

Сталь У14. Закалка с 1000 С в воде. Элект-ронограмма от участка свежеобразованкого кристалла мартенсита. ориентировка. [7]

Диффузное рассеяние, связанное с размерами кристалла. Малые размеры кристалла, облучаемого электронами, вызывают размытие всех рефлексов, включая узел 000, в направлении этого малого размера. Если кристалл представляет собой тонкую пластинку, то рефлексы вытягиваются в направлении, перпендикулярном плоскости пластинки, образуя обратные стержни. Для пластинок, расположенных параллельно первичному электронному пучку, характерно возникновение на МДК тяжей, длина которых в одну сторону от рефлекса равна t - l, где t - толщина пластинки. Для пластинок, расположенных наклонно к первичному электронному пучку, характерно некоторое смещение рефлексов из своих нормальных положений, причем направление и величина смещения зависят от точности выполнения дифракционных условий для этих рефлексов, толщины пластинки и угла наклона ее по отношению к первичному пучку. Большая протяженность обратных стержней ( малая толщина пластинок) может привести к появлению на МДК экстра-рефлексов, которые соответствуют точкам прокола сферы отражения стержнями от узлов обратной решетки, лежащих вне выявляемого на данной МДК ее плоского сечения. В случае кристалла игольчатой формы в обратном пространстве возникает пластина интенсивности, перпендикулярная оси иглы; на МДК от такого кристалла обычно наблюдаются тяжи, являющиеся следами плоскости обратной пластины на плоскости МДК. [8]

Диффузное рассеяние в сплавах с 23 % Мп ( промышленной чистоты) и 29 % Мп ( высокой чистоты), одинаково расположенных на границе ( е у) - и у-областей, показывает, что в последнем ГЦК-структура более совершенна и однородна, она содержит в меньшем количестве и меньшей плотности дефекты кристаллического строения. Повышенная дефектность структуры промышленного сплава может служить причиной его более низкой деформационной способности. Кроме того, наличие нескольких систем ориентировок пластин е-мартенсита и дефектов упаковки приводит к локализации скольжения в микрообъемах металла и может служить причиной возникновения трещин в местах их пересечения. [9]

Диффузное рассеяние света, обусловленное частицами шероховатой поверхности, приводит к беспорядочному изменению фаз падающих лучей. [10]

Диффузное рассеяние опорной волны оказывается эффективным при голографировании с помощью импульсных лазеров, для которых создание одномодового режима является весьма сложной задачей и приводит к значительным энергетическим потерям. Например, подавление поперечных мод с помощью диафрагмы снижает мощность генерируемого излучения в 10 - 50 раз. [11]

Отражение и избирательное [ IMAGE ] Возникновение цветового. [12]

Диффузное рассеяние непоглощенной части света происходит в данном случае от белой подложки. Аналогичный эффект достигался бы и в случае белых пигментных частиц, хаотично распределенных в синем пигменте. В любом случае светопоглощение и рассеяние участвуют в образовании непрозрачной окраски. Как здесь, так и в большинстве случаев роли распределены так: цветной пигмент поглощает, белый отражает свет. [13]

Отражение и избирательное. [14]

Диффузное рассеяние непоглощенной части света происходит в данном случае от белой подложки. Аналогичный эффект достигался бы и в случае белых пигментных частиц, хаотично распределенных в синем пигменте. В любом случае светопоглощение иг рассеяние участвуют в образовании непрозрачной окраски. Как здесь, так и в большинстве случаев роли распределены так: цветной пигмент поглощает, белый отражает свет. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5