Диффузное рассеяние
Cтраница 4
При рентгеноструктурном анализе наиболее интенсивное диффузное рассеяние наблюдается под очень малыми углами [ 47, с. Указанный метод заключается в измерении ( фотографически, ионизационным датчиком) интенсивности рассеянных под малыми углами ф рентгеновских лучей по отношению к интенсивности падающего первичного их пучка. [46]
Форма этих составляющих диффузного рассеяния показана на фиг. Член первого порядка по ( и Д), который дается выражением (12.20), симметричен относительно начала координат, но несимметричен относительно любой другой точки обратной решетки. Член второго порядка (12.21) дает вклад, симметричный относительно любой точки обратной решетки. [47]
При исследовании УФ-спектров диффузного рассеяния молекул бензола, кумола, анилина, нитробензола и других на цеолитах типа X со щелочными обменными катионами установлено [ 1631, что возмущение электронных уровней у адсорбированных молекул растет с увеличением поляризующей способности катиона. Адсорбция молекул декатионированными цеолитами сопровождается взаимодействием с переносом заряда. В случае молекул с менее сильно выраженными донорными свойствами ( бензола, кумола) взаимодействие с переносом заряда происходит только после возбуждения молекул УФ-облучением. [48]
Кроме того, обнаруживается диффузное рассеяние, которое является, по-видимому, результатом наличия удлиненных пустот в волокнах. [50]
Нетрудно убедиться, что диффузное рассеяние опорной волны позволяет практически полностью устранить искажения, характерные для гологра-фической регистрации в многомодовом излучении лазера, и получить восстановленные изображения вполне приемлемого качества. [52]
При больших искажениях интенсивность диффузного рассеяния 1 сгущается в сравнительно узкие распределения, максимумы которых смещены по отношению к правильным отражениям. На значение периода решетки твердого раствора, измеренного по положению максимумов / ь влияют упругие межфазовые деформации, поэтому эти значения могут изменяться в направлении, противоположном изменению концентрации твердого раствора. Анализ изменений интенсивности / о в результате старения при известных характеристиках выделяющейся фазы позволяет оценить поля искажений и контролировать стадию когерентных выделений. На рис. 18.9, а видно, что изменение профиля линии твердого раствора после старения можно представить как переход части интенсивности правильного отражения в фон, имеющий вид диффузного максимума, положение которого близко к положению правильного отражения. Линия после старения имеет плечи. [53]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. [54]
Но поскольку интенсив ность диффузного рассеяния 2-го порядка составляет 10 - 20 %, а на границе зоны Бриллюэна может доходить и до 50 % от интенсивности диффузного рассеяния 1-го порядка, пренебречь им нельзя. Обычно его рассчитывают аналитически и вычитают из общей интенсивности диффузного рассеяния. Правильность оценки интенсивности диффузного рассеяния 2-го порядка влияет на точность определения частот атомных колебаний и других упругих характеристик. [55]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. Последнее представляет собой произведение / ( - 2 на довольно сложную функцию направления вектора К относительно кристаллографических осей. [56]
В этом случае характер диффузного рассеяния существенным образом зависит от того, как распределяются нарушения по кристаллу. [57]
Таким образом, интенсивность диффузного рассеяния, как и следовало ожидать, пропорциональна объему кристалла. Характерной особенностью этого рассеяния является распределение его интенсивности по площади пятна. Последнее представляет собой произведение / ( - 2 на довольно сложную функцию направления вектора К относительно кристаллографических осей. [58]
Для толстых кристаллов становится существенным многократное диффузное рассеяние с более широким распределением по углу и энергии. Поскольку процессы рассеяния дают электронные пучки, некогерентные с падающим и с каждым другим лучом, можно считать, что диффузное рассеяние возникает внутри кристалла. [59]
Чтобы более подробно рассчитать вклад диффузного рассеяния, нужно знать точную форму векторов смещения АО /, однако эти векторы достоверно известны лишь для небольшого числа материалов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5