Диффузное рассеяние
Cтраница 3
Соответственно этому диффузное рассеяние таких волокон, как вискозные, очень интенсивно. Образование больших внутренних напряжений вследствие усадочных явлений из-за удаления растворителя и неравномерность протекания этого процесса по поперечному сечению приводит к тому, что в волокнах сухого метода формования также образуются дефекты ( неоднородности полимера по плотности), что обусловливает интенсивное рассеяние рентгеновских лучей. [31]
Обычно обнаруживают интенсивное диффузное рассеяние от всех волокон независимо от их состава или предыстории. Существуют большие различия в интенсивности рассеянного света и в форме рассеяния, но всегда существует рассеяние, которое, по-видимому, можно считать минимальным. С другой стороны, иногда встречаются образцы блочных полимеров с исключительно низким содержанием микропустот. В литературе имеется несколько работ, посвященных очень слабому диффузному рассеянию в волокнах, но такие волокна следует рассматривать как необычные образцы. [32]
Если амплитуда диффузного рассеяния от m - го слоя кристалла будет Чт ( и, и), то полная интенсивность однократного диффузного рассеяния будет получаться в результате сложения либо амплитуд, либо интенсивностей диффузного рассеяния от каждого слоя в зависимости от того, существует ли корреляция между процессами диффузного рассеяния отдельных слоев или нет. Таким образом, в случае плазмонного диффузного рассеяния можно предположить, что плазменная волна распространяется на всю толщину кристалла. [33]
Применение метода диффузного рассеяния под малыми углами особенно удобно для белков с не слишком большим молекулярным весом. [34]
Смещение пика диффузного рассеяния, обусловленного ближним порядком, за счет влияния размеров атомов при дифракции рентгеновских лучей велико, но отсутствует в случае дифракции электронов. В то же время если при электронографических наблюдениях кристалл наклонить так, чтобы исключить сильные динамические взаимодействия для отдельных диффузных пиков, то смещение этих пиков, связанное с влиянием размеров атомов, станет заметным. [35]
Расчеты интенсивности диффузного рассеяния 2-го поряд ка для одноатомных кристаллов проведены рядом авторов [5-8] с различной степенью точности. Вычисления для двухатомных кристаллов значительно сложнее и сделаны для AuZn [9] ( структура CsCl), сурьмы [10] и K. В данной работе приводится метод расчета интен сивности диффузного рассеяния 2-го порядка для кристаллов со структурой сфалерита. [36]
Однако из-за диффузного рассеяния света пленками мелкозернистой структуры спектральная зависимость коэффициента поглощения в этой области имеет значительно более пологую, сглаженную форму. [37]
Последующий анализ динамического диффузного рассеяния, проведенный Йеннесом и Хейером [160], дал основу для более полной интерпретации экспериментальных наблюдений, в особенности для относительно толстых кристаллов, когда в выражениях для интенсивности можно пренебречь членами, осциллирующими с ростом толщины. [38]
 |
Градуировочные кривые для молибдена, содержащегося в железном сплаве. Кривые показывают роль фона при использовании в качестве источников возбуждения искры и дуги. [39] |
В результате диффузного рассеяния света, падающего на пластинку, роль перемещений источника света падает, но чувствительность схемы существенно уменьшается. Этот же способ может быть применен и при колебаниях интенсивности искры. [40]
В случае диффузного рассеяния многомодового лазерного пучка, освещающего объект, не происходит пространственной модуляции восстановленного изображения в связи с равномерным перемешиванием излучения различных мод по пространству. [41]
 |
Схема распространения УЗ волн в поликристаллическом твердом теле.| Зависимость коэффициента затухания продольной ( б / и поперечной ( 8 волн от частоты. [42] |
Здесь к диффузному рассеянию добавляется поглощение. На рис. 16.67 показано затухание продольной и поперечной волн в зависимости от частоты. [43]
Таким образом, диффузное рассеяние опорного пучка, обеспечивающее квазиоднородное распределение излучения всех поперечных мода плоскости голографирования, позволяет зарегистрировать соответствующий набор пространственных несущих без разрывов и других искажений, обусловленных взаимной некогерентностью различных мод. Вследствие этого восстановленное изображение оказывается свободным от типичных для случая голографирования в многомодовом излучении помех. Наблюдаемое в достаточно широком интервале углов и локализованное в плоскости голограммы восстановленное изображение представляет собой результат суперпозиции множества элементарных изображений, создаваемых дифрагированными световыми волнами различных направлений. При использовании протяженных и полихроматических восстанавливающих источников согласно (2.10) интервал углов, в котором наблюдается сфокусированное изображение, увеличивается, в том числе вследствие дисперсии. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5