Рассмотрение - рассеяние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Прошу послать меня на курсы повышения зарплаты. Законы Мерфи (еще...)

Рассмотрение - рассеяние

Cтраница 4


Рассматривая выражения (3.64) и (3.65), замечаем прежде всего, что сумма любой соответственной пары величин Т и R для любого данного значения углового аргумента у или v равна единице. Очевидно, это отвечает нашему рассмотрению рассеяния в прозрачном кристалле, в котором энергия падающей волны делится на энергию проходящей и отраженной волн. I обращается в единицу.  [46]

Вполне точные результаты получаются при рассмотрении рассеяния, обусловленного только атомными парами хлор - хлор и углерод - хлор.  [47]

Наряду с плоскими волнами в ультраакустике часто приходится иметь дело и со сферическими волнами. Мы встречались с ними уже при рассмотрении рассеяния ультразвука на сферических частицах, при анализе кавитационных процессов и давления излучения; сферические волны формируются в дальнем поле реальных плоских излучателей ультразвука, а также в ближнем поле сферических излучателей.  [48]

Для представления рассеяния от трехмерного объекта с любой желаемой степенью точности число плоских объектов можно сделать достаточно, большим, а расстояние между ними достаточно малым. Пример такого подхода будет дан при рассмотрении рассеяния электронов кристаллами ( гл.  [49]

Поскольку энергия оптических колебаний решетки сравнима с энергией электронов проводимости, рассеяние на оптических фононах качественно похоже на межэллипсоидное рассеяние. В [1260] указан способ применения метода деформационного потенциала для рассмотрения рассеяния носителей длинноволновыми оптическими фоно-нами. Для рассмотрения межэллипсоидного рассеяния метод деформационного потенциала непригоден. В определенном температурном интервале межэллипсоидное рассеяние на оптических колебаниях решетки может приводить к более быстрому изменению ин с температурой, чем Г-3 / Ч Роль этих добавочных механизмов рассеяния в определении и. Авторам [1272] удалось сформулировать принцип решения кинетического уравнения, удобный для учета примесного и межэлектронного механизмов рассеяния при эллипсоидальных изоэнергетических поверхностях.  [50]

Оценка коэффициента Sz сделана для нескольких моделей дефектов [21]; обычно его величина - порядка единицы. В области длинных волн вероятность меняется как четвертая степень частоты; этого и следовало ожидать из рассмотрения рассеяния звука сферой. Для более высоких частот степень закона рассеяния постепенно уменьшается вследствие интерференции.  [51]



Страницы:      1    2    3    4