Равновесное межатомное расстояние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Почему неправильный номер никогда не бывает занят? Законы Мерфи (еще...)

Равновесное межатомное расстояние

Cтраница 2


К преимуществам метода относится и то, что он позволяет вычислить равновесное межатомное расстояние, энергию сцепления и сжимаемость, если допустить, что можно пренебречь всеми вкладами в потенциал решетки, кроме вклада от иона в центре ячейки.  [16]

В ненагруженном твердом теле хЬ0 и х К0, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в объеме и равновесному межатомному расстоянию в поверхностном слое по нормали к поверхности. Следовательно, левый минимум на рис. 6.2 соответствует равновесному положению частиц в объеме, вдали от трещины, правый - равновесному положению частиц на свободных поверхностях трещины.  [17]

Изотопический эффект может появиться во втором приближении вследствие зависимости силовых постоянных от равновесных межатомных расстояний.  [18]

В упомянутой сводке под редакцией Саттона приводится поэтому лишь относительно небольшое число равновесных межатомных расстояний.  [19]

В ненагруженном теле х К0 и я - Яо, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в поверхностном слое. Максимум на потенциальной кривой возникает вследствие того, что на процесс разрыва связей влияют ближайшие соседи следующих атомных слоев.  [20]

Расстояние г, соответствующее минимуму потенциальной энергии ( рис. 1), равно равновесному межатомному расстоянию при 0 К, так как результирующая сила ( которая представляет производную от потенциальной энергии) в этой точке равна нулю, а силы притяжения и отталкивания полностью уравновешены.  [21]

22 График изменения энергии сил притяжения и сил отталкивания при сближении атомов. [22]

Высокая энергия связи в ионных кристаллах ( для NaCl она составляет 16 5 эВ при равновесном межатомном расстоянии - 0 28 им) служит причиной высокой прочности и высокой температуры плавления ионных соединений. Многие ионные кристаллы прозрачны, диамагнитны и являются изоляторами.  [23]

Поэтому изменения этих чисел - An и Am - могут быть использованы для ориентировочной качественной оценки изменения равновесных межатомных расстояний при переходе от одного электронного состояния к другому.  [24]

В ненагруженном твердом теле хЬ0 и х К0, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в объеме и равновесному межатомному расстоянию в поверхностном слое по нормали к поверхности. Следовательно, левый минимум на рис. 6.2 соответствует равновесному положению частиц в объеме, вдали от трещины, правый - равновесному положению частиц на свободных поверхностях трещины.  [25]

26 Ориентации связывающих орбиталей в молекуле РН3, исхо-дл из предположения, что у атома фосфора имеются чистые р3 - связи. Линии, пересекающие ядро атома фосфора в центре системы координат и окружающие ядра атомов водорода ( кружкч па трех осях, создают представление об относительном распределении максимальной электронной плотности.| Конфигурация молекулы Р4. [26]

Изучение структуры молекулы РН3, проводившееся в основном путем анализа инфракрасного23 и микроволнового24 спектров, позволило получить данные о равновесных межатомных расстояниях и о равновесных валентных углах.  [27]

Как правило, атомы рассматриваются в связанном состоянии с известными из эксперимента молекулярными постоянными и используется разложение функции в окрестности равновесного межатомного расстояния.  [28]

В этой формуле De D l / 2Av представляет собой энергию диссоциации плюс нулевую колебательную энергию молекулы, г е - равновесное межатомное расстояние и а - постоянную, характеризующую данную молекулу. Все эти величины находятся из спектроскопических данных.  [29]

В ненагруженном твердом теле я л0, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в объеме, и х Ко, что соответствует равновесному межатомному расстоянию в поверхностном слое по нормали. Следовательно, левый минимум ( рис. 11.7) соответствует равновесному положению частиц в объеме вдали от трещины; правый - равновесному положению частиц на свободных поверхностях трещины. Максимум на потенциальной кривой возникает вследствие того, что на процесс разрыва связей влияют ближайшие соседи, находящиеся в следующих атомных слоях. Их взаимодействие с атомами, выходящими после разрыва связей на поверхность микротрещины, характеризуется межатомным расстоянием х, причем у вершины трещины это расстояние максимально.  [30]



Страницы:      1    2    3    4