Расчет - электронная плотность
Cтраница 1
Расчеты электронной плотности по методу CNDO в ионах о - и n - ГМФ подтверждают ее уменьшение в opro - положениях иона n - ГМФ, но увеличение в незамещенном орто-положении иона о - ГМФ по сравнению со значениями электронной плотности в фе-ноксид-ионе. В то же время эти расчеты свидетельствуют об уменьшении электронной плотности в пара-положении иона о - ГМФ по сравнению с ее значением в феноксид-ионе, что не согласуется с найденным значением скорости замещения. [1]
Для расчетов электронной плотности представляют интерес 39 из 63 групп, относящихся к косоугольной и прямоугольной сингониям. [2]
 |
Линейная векторная модель 5по направлению ( 100 кристалла NaO2.. [3] |
Сложность расчета электронной плотности кристалла связана с определением знаков структурных амплитуд F ( hk [), так как интенсивности отражений пропорциональны квадрату структурных амплитуд. Поэтому для определения строения простых соединений удобно применять метод построения векторных моделей кристалла, с использованием квадратов структурных амплитуд в качестве коэффициентов разложения ряда. [4]
Конечно, расчеты электронной плотности неразрывно связаны с оценкой структурных параметров биологических субстратов. Например, как уже отмечалось, белки способны выполнять свои биологические функции только тогда, когда цепь аминокислот, включенных в молекулу белка, свернута в компактную трехмерную структуру. Многие годы химики пытаются установить причины, по которым молекулы белков складываются тем или иным образом, однако полного понимания этих причин еще не достигли. [5]
Поэтому данных для расчета электронной плотности по формуле ( 35) у исследователя, по крайней мере на первых стадиях анализа структуры, не имеется. [6]
Таким образом, справедливость расчетов электронной плотности для оснований, входящих в состав нуклеиновых кислот, в настоящее время может быть проверена лишь косвенным образом. [7]
Само собой разумеется, что расчет электронной плотности производится только для симметрически независимой части элементарной ячейки. [8]
 |
Координаты симметрически связанных атомов в группе Ртт2. [9] |
Само собой разумеется, что расчет электронной плотности производится только для симметрически независимой части элементарной ячейки. [10]
Это же относится и к расчетам электронных плотностей в пространстве молекул. [11]
Фазовые углы, которые необходимы для расчета электронной плотности, иногда можно выяснить, проводя измерения интенсивности с изоморфными кристаллами. Рассмотрим случай, когда кристалл имеет центр симметрии и атом А может быть заменен другим атомом В без изменения кристаллической структуры. [12]
 |
Переход к новой координатной системе при построении косого сечения. [13] |
Формула ( 75) непосредственно пригодна только для расчета электронной плотности вдоль сечения, параллельного координатной плоскости XY. Обобщение ее на случай сечений, параллельных другим координатным плоскостям, конечно, не требует особых указаний. [14]
На основании этого сделан вывод [47, 59], что данными расчетов электронной плотности следует пользоваться с большой осторожностью для предсказания химической реакционной способности гетероциклических соединений. [15]
Страницы: 1 2 3 4