Расчет - скорость - рост - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Единственный способ удержать бегущую лошадь - сделать на нее ставку. Законы Мерфи (еще...)

Расчет - скорость - рост

Cтраница 2


Таким образом, оказывается, что динамические уравнения, объединяющие случаи вязкого и хрупкого разрушения образцов с острыми и плотными концентраторами напряжений и рекомендуемые для расчета скорости роста уплотнений трещины, различаются использованием различных определяющих размеров.  [16]

Отметим, что коэффициенты самодиффузии связаны с отклонениями от стехиометрии, причем их значения зависят от условий равновесия исследуемого кристалла с той фазой, с которой он взаимодействует. Для проверки расчетов скорости роста пленок на основе значений коэффициентов самодиффузии следует учитывать следующее. Для системы с окисным слоем р-типа нужно использовать значения коэффициента самодиффузии катионов, находящихся в равновесии с атомами кислорода при данном парциальном давлении кислорода во внешней фазе. Для системы с полупроводниковым окисным слоем - типа нужно использовать коэффициент самодиффузии катионов, находящихся в равновесии с атомами металла во внешней фазе.  [17]

18 Изменение во времени характеристик распределения твердой фазы г хе и п. [18]

Данные по расчету скорости роста и общего числа частиц в 1 г суспензии для различных времен кристаллизации приведены в таблице. Из таблицы видно, что линейная скорость роста частиц падает с увеличением размера.  [19]

При наиболее низких давлениях энергетическая схема роста, приводящая к (6.41), дает сильно завышенную в сравнении с экспериментами расчетную скорость роста пузырька. Следовательно, уравнение для расчета скорости роста паровых пузырьков на стенке в рассматриваемых условиях должно отличаться от формулы (6.37) лишь числовым коэффициентом, меньшим единицы.  [20]

Эта формула справедлива для теплоотдачи к поверхности сферы диаметром D от бесконечного неподвижного объема жидкости с коэффициентом теплопроводности К, в которой эта сфера погружена. Этой формулой пользуются при расчете скорости роста температуры и последующего испарения капель, когда струя этих капель впрыскивается в горячий газ.  [21]

Существовавшие теории, относящиеся в основном к псевдоожижен-ным слоям, не могли дать удовлетворительного объяснения наблюдаемым явлениям. Результаты, полученные Андерсоном и Джексоном [181], которые провели расчеты скоростей роста возмущений порозности в различных псевдоожиженных слоях, показывали, что в системах газ - твердое тело возмущения растут значительно быстрее, чем в системах жидкость - твердое тело.  [22]

Напряжения раскрытия трещины, полученные по этой модели, использовались для расчета скорости роста трещин при нерегулярном нагружении. Следует отметить, что измерение напряжений раскрытия трещины является очень сложной задачей.  [23]

Для описания процесса ин - - гибирования кристаллизации в результате этого типа удельной адсорбции требуется расчет скоростей роста кристалла на нескольких кристаллографических гранях с учетом различий в поверхностной адсорбции на каждой грани.  [24]

Необходимо особо отметить, что отличие значений К, К от К обусловлено необходимостью учета скорости роста и не связано с зависимостью модуля сцепления от времени. Границы практической устойчивости и самоподдерживающегося роста не могут быть получены чисто расчетным путем, без эксперимента, так как расчет скорости роста при современном развитии теории не представляется возможным.  [25]

Метод открытой трубы с использованием в качестве источников элементарного галлия и хлорида мышьяка в настоящее время успешно применяется для получения эпитаксиальных слоев GaAs. С другой стороны, при эпитаксиальном наращивании в проточной системе вначале для кремния [3, 4], а затем и для арсенида галлия [5] было показано, что расчет скорости роста, учитывающий диффузию компонентов газовой фазы, является более строгим.  [26]

В таких моделях основной вопрос сводится к тому, каким образом изменяется концентрация поверхностных вакансий или адсорбированных поверхностью атомов ( адатомов) по мере повышения температуры. Этот вопрос существен, поскольку атомно-гладкая поверхность, как принято считать ( по крайней мере в модели Косселя), способна расти лишь в том случае, когда на ней образовались ступени; следовательно, возникновение, число и характер движения этих ступеней имеет первостепенное значение для расчета скоростей роста кристаллов. В другом случае, а именно для атом-но-шероховатых поверхностей нужды в ступенях нет ( иначе говоря, предполагается, что ступени существуют повсюду) и механизм роста сильно упрощается.  [27]

Параметры ближнего порядка используются для расчета некоторых термодинамических характеристик - коэффициентов активности, парциальных и интегральных изобарных потенциалов, теплот смешения, параметра взаимодействия. По данным дифракционных методов можно произвести расчет ( правда, пока еще довольно грубый) важных для описания процессов кристаллизации и модифицирования коэффициентов самодиффузии, вязкости, поверхностного натяжения на границе жидкость - пар, электропроводности в зависимости от состава расплава. В формулу для расчета скорости роста кристаллов в качестве одного из определяющих параметров вводится координационное число жидкости.  [28]

Рассмотрены причины несовпадения экспериментальных и рассчитанных по диффузионной модели скоростей роста и травления кремния. Проведенные эксперименты по моделированию равновесия роста - травления в потоке показали, что входные составы газовой смеси ( S1C14 - НС1 - Н2), соответствующие нулевой скорости роста кремния, отличаются от термодинамически равновесного состава газовой фазы для системы кремний - хлор - водород. Найдено, что при расчете скоростей роста и травления по диффузионной модели минимальные расхождения с экспериментом имели место, если в расчетных соотношениях термодинамический равновесный состав газовой смеси заменить равновесным составом, определенным для реальных условий, и в случае травления ввести поправку, учитывающую меньшую толщину пограничного слоя для дихлорида кремния.  [29]

Так как частицы только что образовавшегося аэрозоля крайне малы, этот процесс, удачно названный изотермической перегонкой, протекает с большой скоростью, если давление пара не слишком мало. Именно по этой причине высокодисперсные водяные туманы при обычной температуре сохраняются не дольше нескольких секунд. На механизме изотермической перегонки основаны выполненные Ленгмюром расчеты скорости роста капелек масляных туманов21 - 10 и водяных капелек в природных облаках101, причем в обоих случаях получилось хорошее согласие между вычисленными и наблюдаемыми значениями средних радиусов капелек.  [30]



Страницы:      1    2    3