Расчет - скорость - рост
Cтраница 3
Применение эпитаксиалышх кремниевых структур для изго - товления интегральных схем и СВЧ планарных транзисторов предъявляет жесткие требования к таким параметрам эпитаксиальных слоев, как толщина слоя и его удельное сопротивление. Слои должны иметь равномерную по всей площади толщину и однородное сопротивление. Имеется ряд работ [3 - 5], в которых предлагаются методы расчета скорости роста вдоль и поперек реактора с учетом газодинамических, тепловых и геометрических параметров системы для некоторых конкретных случаев. [31]
В более ранней работе [5] мы предположили, что несоответствие между Si / ClgKcn и Si / ClpaBH связано с различием коэффициентов диффузии молекул SiCl4 и НС1 при температурах процесса. В то же время при расчете скоростей роста расхождения увеличиваются, так как FPKcn Vfc Таким образом, предположение о том, что в условиях реальной проточной системы на поверхности подложки ЗД / сХксп существенно отличается от 81 / С1Равн не находит достаточного экспериментального подтверждения. По нашему мнению, оправдан другой подход к этому вопросу, заключающийся в том, что в проточном реакторе квазиравновесие всегда будет иметь место при Si / ClBXSi / ClpaEH - Это объясняется тем, что на поверхности кремниевой подложки в условиях термодинамического равновесия образуются кремнийсодержащие соединения ( SiCh, SiHzCh и др.), отсутствующие в парогазовой смеси, подаваемой в реактор. [33]
Библиография работ по усталости слоистых композитов весьма обширна. Это не удивительно по причинам, отмеченным ранее. Однако такие уравнения успешно использованы в работе [48] для расчета скорости роста трещины в слоистых стальных пластинах и распространения расслоения в слоистых образцах графит - алюминий или S-стекло - - алюминий. Во всех этих работах предполагалось, что основной механизм сопротивления росту трещины состоит в затуплении магистральной трещины при прорастании перед ней в перпендикулярном направлении вторичных трещин. [34]
Библиография работ по усталости слоистых композитов весьма обширна. Это не удивительно по причинам, отмеченным ранее. Однако такие уравнения успешно использованы в работе [48] для расчета скорости роста трещины в слоистых стальных пластинах и распространения расслоения в слоистых образцах графит - алюминий или S-стекло - алюминий. Во всех этих работах предполагалось, что основной механизм сопротивления росту трещины состоит в затуплении магистральной трещины при прорастании перед ней в перпендикулярном направлении вторичных трещин. [35]
При помощи коэффициентов к н п оценивается влияние на адгезию термоокислительных процессов, которые имеют место при формировании пленок из полиэтилена ( см. с. Формула ( 111 75) пригодна для оценки адгезионного взаимодействия лишь в определенных условиях. Для расчета скорости роста адгезионных связей необходимо знать значения коэффициентов кип, что определяется экспериментально. [36]
Страницы: 1 2 3