Расчет - матричный элемент
Cтраница 2
Как было показано выше, рассмотрение симметрии может оказаться полезным при расчете матричных элементов взаимодействия. [16]
Выражения ( 6), ( 7) используются в дальнейшем при расчетах матричных элементов, когда необходимо знание электронной плотности и атомного потенциала во всей атомной ячейке. [17]
 |
Порядки связей нафталина в различных приближениях. [18] |
Когда включаются конфигурации, отличающиеся состоянием двух электронов от конфигурации основного состояния, расчет матричных элементов становится несколько более сложным. [19]
Матрица 2x2 в левой части уравнения (2.4) называется энергетической матрицей, и теперь мы столкнулись с задачей расчета матричных элементов между детерминантными волновыми функциями. [20]
Таким образом, при известном потенциале межмолекулярного взаимодействия л / од ( Я) задача об определении интенсивности индуцированной полосы сводится к расчету матричных элементов индуцированного дипольного момента. [21]
Полученное выражение становится неприменимым также и при очень больших значениях q, когда область l / q, в которой находятся существенные для расчета матричного элемента R01 значения г, так как ых изменяется на характерных размерах г - q -, имеет порядок области взаимодействия электрона с нейтральным атомом. [22]
Сумма по k и п в (7.45) отлична от нуля только благодаря присутствию в Н члена, описывающего спин-орбитальное взаимодействие. Поэтому при расчете матричных элементов ( п va ( k) т) необходимо брать собственные волновые функции полного гамильтониана H-HF, включающего член Ясо - Поправку к невозмущенным волновым функциям п, вносимую малым членом Ясо, можно рассчитать при помощи обычных методов теории возмущений. [23]
Мы не станем останавливаться здесь на методах расчета матричных элементов, степень приближенности которых не имеет четкого теоретического характера. [24]
V, то можно легко определить приведенный матричный элемент и по известным коэффициентам Клебша - Гордана - все остальные матричные элементы между состояниями рассматриваемых термов. Таким образом, теорема Вигнера - Эккарта существенно сокращает расчеты матричных элементов. Кроме этого, устанавливая численное соотношение между последними, она лимитирует число независимых параметров, которые можно ввести в задачу. [25]
Харрисона i [18], в которых был вычислен главный матричный элемент V % по экспериментально измеренной диэлектрической проницаемости. В последующей работе Харрисона и Чирачи: [19] для расчета главного матричного элемента в - ковалентных кристаллах были использованы результаты измерений главного пика коэффициента отражения в оптической области, который мы будем обсуждать позднее. Последующий анализ детальной структуры валентных зон ( Пантелидес и Харрисон [13]), в котором использовалось значение Vz, определенное по пику оптического отражения, дает полный набор матричных элементов межатомного взаимодействия для ковалентных кристаллов. [26]
В 4М - электронных реакциях циклоприсоединения барьер НД-термической реакции возникает из двухэлектронного взаимодействия основной и двукратно возбужденной поверхностей реагентов. Качественный характер нашего метода и особенно приближения НМФДМОП при расчете матричных элементов взаимодействия не позволяют делать простые предсказания относительно деталей адиабатических поверхностей. Например, можно разглядеть неглубокую впадину, занимаемую антиароматическим интермедиатом ( АИ) на вершине термического барьера ( zns 2fts) - циклоприсоединения, в котором может происходить вращение вокруг связей и который, таким образом, отвечает за нестереоспецифичность. [27]
Однако в методе ВКВЛО - ППДП / 2 условие ортогональности в явном виде не вводится, и поэтому истинная природа базисных орбиталей не совсем ясна. Они могут рассматриваться как усеченные орбитали при расчете перекрестных плотностей ( cpi, TNPJ), но не при расчете матричных элементов оператора Фока ( фг, Ftyi) - Поэтому расчет двухэлектронных интегралов в соответствии со схемой ППДП / 2 требует, кроме введения гипотезы усеченных орбиталей, ряда дополнительных предположений. [28]
Как правило, экспериментально изучались кристаллы, содержащие небольшое количество ионов лантаноидов, поэтому приходилось учитывать возмущение, создаваемое кристаллическим полем. В расчетах схем энергетических уровней ионов существенную роль играет тензорная алгебра, поэтому введение компонент неприводимого тензора для описания электронного КР при нахождении трансформационных свойств полного тензора не только очень удобно, но и важно при расчете матричных элементов электрического дипольного момента и, следовательно, тензора рассеяния. Детальное ознакомление с расчетом выходит за рамки данной главы, поэтому ниже приведены только принципы теоретического подхода. [29]
Терм 0 представляет собой основное состояние 2В2д без учета спин-орбитальных эффектов ( т.е. для - иона с тетрагональным сжатием это один электрон на ху-орбитали), в то время как суммирование дает вклад, обусловленный спин-орбитальным подмешиванием возбужденных состояний. В этом примере член ДЕ в знаменателе указывает на то, что состояние 2Е будет давать наибольший вклад из всех подмешиваемых состояний. Расчет матричных элементов в уравнении (13.4) дает коэффициенты, необходимые для записи соответствующих волновых функций. [30]
Страницы: 1 2 3