Расширение - кристалл
Cтраница 2
Это объясняется наличием в конструкции диодов деталей, соединенных с помощью низкотемпературных припоев, различием в температурных коэффициентах расширения кристалла и кри-сталлодержателя. Диоды в стеклянных корпусах без покрытий должны быть защищены от действия источников света, которое вызывает увеличение обратного тока. [16]
Поместим теперь наш прибор в воздушную баню; кристалл расширится, воздушный слой между ним и стеклянной пластинкой изменит свою толщину, и полоски интерференции будут сдвинуты; по степени их перемещения можно весьма точно измерить расширение кристалла. [17]
С повышением температуры молекулы становятся все более подвижными; каждая из них все интенсивнее перемещается в небольшом пространстве между соседними молекулами и соударяется с ними все более энергично. Такое усиление молекулярного движения с повышением температуры приводит к некоторому расширению кристалла, в результате чего увеличивается пространство, в котором каждая молекула совершает термические колебания. [18]
При плавлении стекол процесс протекает иначе. Правда, расширение твердого стекла ау, так же как и расширение кристалла, вызывается, с одной стороны, колебательным движением частиц и, с другой, флуктуа-циями плотности. Увеличение энтропии, вызываемое изменением колебаний, очень мало, и расширение твердого стекла имеет тот же порядок величины, что и расширение твердого кристалла. Однако часть расширения, связанная со структурными изменениями, не подчиняется закономерностям истинного плавления: Да меняется немонотонно с повышением температуры, соответствуя различным этапам изменения структуры при плавлении стекла. [19]
Кроме того, в однофазном динасе не возникают напряжения, вызываемые различием в термическом расширении ( и сжатии) различных фаз, которые возникают и при отсутствии градиента температур. В нем могут, однако, возникать напряжения, вызываемые анизотропией расширения кристаллов. [20]
Увеличение плотности дислокаций возникает также в местах оплавлений кристалла или резкого неконтролируемого изменения диаметра, причем дислокации, возникшие в этой области, прорастают по всей длине кристаллической були. Отсюда следует практический вывод, заключающийся в том, что если при расширении кристалла возникают какие-либо дефекты поверхности, то необходимо расплавить весь конус расширения вплоть до затравочного кристалла. Для приведенных ниже условий кристаллизации НБС число дислокационных рядов этого типа невелико. Скопления дислокаций встречаются также по границам блоков. [21]
Под действием приложенного по определенным направлениям кристалла механического давления ( сжатия) кристалл электризуется. Возможен и обратный переход электрической энергии в механическую, то есть сжатие или расширение кристалла ( например, пластинок кварца) под действием электрического поля. Эти ультразвуковые волны, направленные в заданном направлении, вызывают резкие местные колебания давления и температуры ( как результат чередующихся возникновений и исчезновений пустот в среде) и способны разрушать сложные молекулы и убивать мелкие организмы. [22]
 |
При нагревании колбы уровень воды в трубке перемещается из положения / в положение 2. [23] |
Вспомним, что кристаллы обладают анизотропией, поэтому, вообще говоря, величина расширения кристалла при нагревании зависит от направления. Однако большинство твердых веществ имеет поликристаллическое строение, и потому они являются изотропными. Следует иметь в виду, что все изложенное дальше в этой главе относится к изотропным телам. [24]
 |
Значения величин, характеризующих критическое состояние разрушения. [25] |
Скотт делает, далее, следующий важный шаг. Для наших целей достаточно будет отметить, что силы сцепления достигают максимума при расширении кристалла от его нормального равновесного объема до V, а при дальнейшем расширении эти силы уменьшаются. Следовательно, при достижении объема V происходит переход от твердой кристаллической структуры к более подвижному жидкому состоянию, и можно предположить, что V соответствует гипотетической максимальной концентрации, достигаемой в ( пересыщенном) растворе данной соли. [26]
Типичная аномалия борной кислоты не проявляется в поверхностном натяжении. Weyl [226], 29, 1948, 131 - 136, 156 - 158, 200 - 204, 228): Хаммел ( F. A. Hummel [267], 33, 1950, 102 - 107) подверг критике некоторые положения, выдвинутые Дитцелем, и пытался дать объяснение аномалий термического расширения, аналогичное теории расширения кристаллов, выдвинутой Мего ( см. А. [27]
 |
Выход двух граней 211 и одной 110 на боковой поверхности конуса расширения ИАГ, выращенного вдоль оси. Ув. 4. [28] |
Проведены исследования зависимости степени развития граней на боковой поверхности кристаллов ИАГ от вертикальных температурных градиентов и ориентировки кристаллов. На поверхности конуса расширения кристалла, выращенного на затравку, ориентированную по оси [111], в условиях максимальных температурных градиентов развивается 12 граней. [29]
Процесс полимеризации был исследован Наканиши и др. [291] рентгенографическим методом. После нескольких часов облучения монокристалл мутнеет в результате фибриллизации. В значительной степени изменение плотности обусловлено расширением кристалла вдоль кристаллографической оси Ъ на длину, составля-ю-щую половину от расширения, наблюдаемого в кристалле конечного полимера. Олигомерный кристалл не сокращается в направлении оси а. Дальнейшее облучение при меньшей длине волны приводит к завершению полимеризации. При подобном облучении без предварительного воздействия излучения с низкой энергией полимеризация идет в одну стадию. Завершение полимеризации сопровождается увеличением плотности и не вызывает потери ориентации макромолекул. [30]
Страницы: 1 2 3