Cтраница 4
Чтобы обсудить этот случай, удобно рассмотреть такую модель, в которой разность энергий двух зон, участвующих в процессе комбинационного рассеяния, соответствует их спин-орбитальному расщеплению. Этот важный случай имеет место в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки. [46]
Все состояния внутри оболочки имеют одну и ту же четность, за исключением одного состояния, которое возникло вследствие смещения более высокого осциллятор но го уровня благодаря спин-орбитальному расщеплению. Но значение / для этого состояния не менее чем на 2 отличается от значения / для любого другого уровня оболочки. Электрическое дипольное излучение требует изменения четности, но разрешает изменение спина не более чем на единицу. Этот тип излучения, который вообще наиболее прост и вероятен, не может происходить при переходах между уровнями одной и той же оболочки и, следовательно, не может происходить при переходах между нижними состояниями ядер. [47]
Как уже отмечалось, однако, чаще всего в случае / - электронов кристаллическое поле слабее спин-орбитального взаимодействия, так что если пользоваться теорией возмущений, необходимо сначала определить термы / - электронов с учетом спин-орбитального расщепления ( термы состояний с данным полным моментом количества движения /), а затем вычислить их расщепление в полях различной симметрии. [48]
Как и в других соединениях AniBv, в GaAs имеются зоны легких и тяжелых дырок ( V и Fa), экстремумы которых находятся в одной и той же точке k 0, а также зона УЗ, отстоящая на величину спин-орбитального расщепления 0 35 эВ ( фиг. [49]
На рис. 1.82 изображены прямые и непрямые оптические переходы в Ge. Спин-орбитальное расщепление и-зоны здесь не отображено. [50]
Спин-орбитальное расщепление энергетических зон непосредственно следует из его наличия для уровней энергии свободных атомов, образующих энергетические зоны при взаимодействии атомов друг с другом. Спин-орбитальное расщепление уровней энергии атомов в атомной физике и спектроскопии обычно называют тонкой структурой уровней и спектральных линий. [51]
Как и в Ge, экстремум валентной зоны кремния образован двумя зонами, вырожденными при k 0; третья зона находится несколько ниже. Однако спин-орбитальное расщепление в Si гораздо меньше и его сравнительно трудно исследовать. [52]
Акцепторные состояния в случае вырожденной валентной зоны обладают определ. Если спин-орбитальное расщепление Л велико по сравнению с энергией связи / 0 акцептора, то двукратно вырожденную отщепленную зону можно ве принимать во внимание. [53]
Из таблицы характеров двойной группы Г ( см. табл. 2.23) легко заключить, что четырехкратно вырожденные состояния j 3 / 2 принадлежат к представлению /, поскольку это единственное четырехмерное представление. Обычно величина спин-орбитального расщепления АО в полупроводнике сравнима с АО у составляющих его атомов. [54]
Здесь х и х - - соответствующие вклады в х зон. В этом случае спин-орбитальное расщепление велико и оба вклада могут быть разделены. [55]
Снятие запрета для этих переходов в принципе возможно благодаря взаимодействию с колебаниями решетки, но в этом случае полосы были бы достаточно широкими, тогда как в действительности они довольно узкие. Кроме того, спин-орбитальное расщепление в ионе 0 - мало ( - 0 03 эв. [56]
Поэтому в ядре за оболочкой lsi / 2 следует оболочка р в, которой могут находиться 6 нуклонов одного сорта. При малых / это спин-орбитальное расщепление невелико. Поэтому 4 состояния 1р3 / 2 и 2 состояния lpi / 2 входят в одну и ту же оболочку. [57]
Рассмотрим два возможных механизма возникновения ориента-ционных эффектов. Первый механизм - это спин-орбитальное расщепление вырожденной зоны в окрестности некоторой линии симметрии, например линии Л на рис. 2.23. При этом задетыми оказываются переходы Ai - кЛз от В до А. [58]