Реакция - травление
Cтраница 2
Механизм реакции травления меди в растворе хлорной меди идентичен механизму реакции травления в растворе хлорного железа. Однако скорость процесса относительно быстро падает за счет более интенсивного накопления хлористой меди. Введение в состав раствора соляной кислоты увеличивает не только рабочую емкость раствора, но и оказывает существенное влияние на скорость процесса за счет связывания хлористой меди в растворимый комплекс и подавления реакции гидролиза. Исследования показывают, что скорость реакции травления находится в прямо пропорциональной зависимости от концентрации соляной кислоты. За этим пределом скорость процесса остается постоянной, что необходимо учитывать при составлении и корректировке растворов, а также при расчете расходных норм. [16]
 |
Скорость роста пленок GaAs / Ge ( а п InAs / GaAs ( б на подложках с ориентацией ( 111 в зависимости от температуры. [17] |
До максимума на кривой рис. 4.3 скорость роста определяется разностью скоростей реакции травления и массопереноса. В случае кристаллизации при постоянной температуре подложки скорость роста меняется мало. [18]
Для обнаружения кремнефторида натрия в биоматериале и в других объектах химико-токсикологического анализа применяют реакции травления стекла, образования геля орто-кремневой кислоты и реакцию с ализариновым лаком. [19]
Выделение кристаллов сульфата железа является методом частичной регенерации, так как затраченная на реакцию травления кислота при этом не регенерируется. [20]
 |
Фигуры транлмшн на кристаллах.| Проекции вс-рха кристаллов. [21] |
Надо помнить, что симметрия фигуры травления является функцией не только симметрии кристалла, но и 1) симметрии ( структуры) компонентов реакции, а также 2) наличия примесей и продуктов реакции травления. [22]
Процесс растворения протекает быстрее по тем участкам, на которых естественный оксидный слой более тонок или имеет трещины и поры, или на которых растворимость алюминия больше. Поэтому реакция травления сначала идет неравномерно, образуя на поверхности алюминия рытвины и углубления. [23]
В первый момент травления концентрация молекул травителя у поверхности кристалла совпадает с этой величиной в глубине раствора и скорость диффузии поэтому равна нулю. Скорость реакции травления при этом максимальна, так как концентрация молекул травителя вблизи поверхности имеет наибольшее возможное значение. В результате протекающего процесса концентрация молекул травителя у поверхности кристалла С падает, что приводит к образованию обедненного слоя и к уменьшению скорости реакции, а суммарная скорость диффузии при этом возрастает. [24]
Однако этот процесс протекает быстрее по тем участкам поверхности, в которых естественный оксидный слой более тонок или имеет трещины и поры. Вследствие этого реакция травления сначала идет неравномерно, образуя на поверхности алюминия рытвины и углубления. [25]
Для распознавания фторсодержащих соединений известно несколько общих реакций, характерных как для фторидов, так и для кремнефторидов. Важнейшей из них является реакция травления стекла. [26]
Температура раствора не должна превышать 35 С. Следует иметь в виду, что реакция травления идет с выделением тепла, поэтому происходит нагревание раствора во время травления. С целью предупреждения разогревания раствора выше допускаемой температуры необходимо подбирать размеры ванны для травления таким образом, чтобы объем раствора был по возможности большим по отношению к объему изделий. [27]
По истечении установленного времени травления, контролируемого по секундомеру, барабан с пластинами быстро переносят в стоящий рядом стакан с деионизованной водой. Происходит резкое разбавление травителя водой, и реакция травления прекращается. Затем пластины или кристаллы выкладывают в чистый стакан, стремясь, чтобы они не долго ( секунды) оставались на воздухе. В дальнейшем, многократно меняя деионизо-ванную воду, пластины или кристаллы отмывают от травителя. [28]
Для обнаружения фторидов известно много качественных реакций. Для целей химико-токсикологического анализа в основном применяются реакции травления стекла, образования геля ортокремневой кислоты и реакция с ализарин-циркониевым лаком. [29]
 |
Устройство для химико-динамического полирования подложек полупроводников типа Конус. [30] |
Страницы: 1 2 3 4